當(dāng)先進(jìn)的邏輯電路尺寸縮小到65nm及以下丁藝節(jié)點(diǎn)時,接觸2層已經(jīng)開始在功能強(qiáng)大的集成電路中起到關(guān)鍵作用。在鎢接觸孔刻蝕丁藝中,側(cè)壁形狀的控制、CD均勻性、 M82C54-2對下層的選擇性和確保接觸孔開通變得越來越重要,特別是對提高良率。由于光刻的限制,通常要求后刻蝕CD比預(yù)刻蝕CD縮�、騨m以上(CD偏移)。在接觸孔刻蝕l∶藝中,這么大的CD縮小.癤J確保接觸孔開通在高深寬比的情形提出r挑戰(zhàn)。u大的CD偏移,主要靠富含聚合物的刻蝕工藝來實(shí)現(xiàn)CT)的收縮。而富含聚合物的刻蝕,趨向丁減小所要獲得的接觸fL開通保證、高深寬比接觸孔的側(cè)壁形狀控制和好的CD均勻性的卜藝窗口,所有這些都是更為嚴(yán)格的電特性所要求的。除此之外,刻蝕需要更薄的、更少木顯影的光刻膠,而這需要對光刻膠有更高的選擇性,來防止接觸孔的粗糙度變差。

   在掩膜打開步驟中,CF.氣體是}要的刻蝕劑氣體。在此步中,為了產(chǎn)生更多的聚合物,可以引入CHF.或者CH3「纟,在接觸孔的頂部就實(shí)現(xiàn)CD的縮小。圖8.25是將這些氣體比率分組的一個例子的總結(jié),CH|∷CH△比率的范圍為3.3~10。曲于(∶H?FJ的重聚合物特性,(lH|∷′CHF∷比率被選為CHi∷/CH∶F2比率的一半,以得到日標(biāo)CI)Ⅱ它們的影響。r從 最終AEI CD和孔的粗糙度(圓度)來評估。結(jié)果顯示,無論引人CHF3還是CH2F2,都將降低光刻膠的選擇性。光刻膠的選擇性隨CH|/CHF;比率的減少而線性降低。盡管僅有CH4的條件下,對光刻膠的選擇性優(yōu)于其他組,但它的AEI CD比目標(biāo)值大了8nm。相比之下,CH4/CHF3=5和CFl/CH2F2=10成功地減少AΠ CD,達(dá)到了目標(biāo)值。然而,當(dāng)我們檢查僅有CF1的條件和那兩個AEI CD達(dá)標(biāo)組別的頂視圖 一圖8.26,就會發(fā)現(xiàn)CH4/CHF3=5在好的粗糙度(圓度)和達(dá)標(biāo)的AEI CD方面是一個有潛力的候選者。如圖8.26(c)所示,CH2F2產(chǎn)生的聚合物太多,導(dǎo)致接觸孔的粗糙度變得更差。