隨著器件變得更小, M4A3-192/96-10VNC如果氯化物/氮化物(()N)隔離的器件與氮化物氮化物(N()N)隔離的器件相比的話,在有著同樣的側(cè)墻寬度的情況下,就sH'C(應(yīng)力引人的漏電)和yJ移動(dòng)來說,氧化物/氮化物(ON)顯示出更好的可靠性,這些特性是山T氮化物和氧化物薄膜之間不同的機(jī)械應(yīng)力造成的c另外,ON側(cè)墻的丁藝集成很簡(jiǎn)單.()N側(cè)墻的刻蝕通常是`{扌含氫的碳氟化合物氣體來進(jìn)行的,這包括CH⒎、tl HJ F?和C Il∷F。氮化物和氧化物的刻蝕速率高度依賴于所有等離子中氧氣含量的百分比。氧氣加人到刻蝕氣體,使得等離子氣相發(fā)生變化,特別是對(duì)氫濃度的改變。氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降,囚為CFk刻蝕劑減少r。氮化物的刻蝕速率與氫在等離子∠t相中的濃度有著密切的關(guān)系。氫叮以同CN反應(yīng)生成HtlN,減少了氮化物表而聚合物的厚度.襯底上的氮原子去除得到了增強(qiáng),因此氮化物的刻蝕速率隨氫的濃度增加。結(jié)果是在引人最大的氫濃度和適量的氧濃度下,得到了氮化物和氧化物相比,相對(duì)高的選擇性。在側(cè)墻刻蝕屮,除F選擇性控制外,預(yù)刻蝕和后刻蝕方案對(duì)解決CHkF、腔室記憶效應(yīng)極具吸引力。如圖8.2=1所顯示的,這種記憶效應(yīng)將導(dǎo)致側(cè)墻頂部過多的損失以及多晶硅柵兩側(cè)的側(cè)墻高度隨機(jī)忤非對(duì)稱。如果在側(cè)墻刻蝕和濕法去膠間的等待時(shí)間比較κ,留在SiN L的CHI「i將腐蝕SiN薄膜。在預(yù)刻蝕方案中,N「→∷02被川來清洗腔室,以減小側(cè)墻頂部的損失(圖8.24A與圖8,24B相比較)。而在后刻蝕屮,為了獲得對(duì)稱的側(cè)墻高度,利用未偏置的OJ來緩和腔室記憶效應(yīng)(矧8.24C勹圖8.24D相比較)。