以上介紹了晶片制造過程中各種污染.污染的來源,污染對器件的影響。對于L千步的制程, TC75S55F使用不同的設(shè)備、材料和方法,達到預(yù)期目的的同時.也會產(chǎn)生不同的副作用:污染。通過制程的完善和創(chuàng)新,使相關(guān)污染得以消除或降低。以下就晶片濕法處理做簡單介紹。

   晶片濕法處理的要求

   濕法處理是通過水溶性的藥物,結(jié)合物理或化學(xué)機理,對薄膜、有機物、無機物、金屬、顆粒污染加以去除。就單一個制程講,可能有不止一種污染,濕法處理會合并幾個步驟,依次處理,同時要求后面的步驟不會污染前面的步驟或降低前面清洗的有效性。濕法處理不但要求有高的污染去除效能,而且要有低的材料硅、氧化硅等損失(90nm CMOS1.OA;65nmCMOS0.5A)和器件損傷,沒有粗糙表面、殘渣、金屬腐蝕等。