芯片污染膜在很多方面影響集成電路的正常加工和器件性能。如受金屬污染的柵氧化層,TC74VHC273FS漏電流會(huì)增大,良率降低「21;污染的膜層在酸槽中刻蝕,會(huì)二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產(chǎn)物阻止下一個(gè)沉積膜對(duì)晶片的很好粘附,造成脫落;甚至在無(wú)氧環(huán)境下加熱,有機(jī)膜殘?jiān)蓟?或?qū)⑴c硅反應(yīng)在晶片L形成碳化硅(SiC)缺陷區(qū)。金屬和離子污染會(huì)引起有關(guān)器件操作方面的問(wèn)題。在爐管制程時(shí),金屬污染物(如鐵和銅)在硅中擴(kuò)散極快,假如它們由晶片表面進(jìn)人硅基材,會(huì)導(dǎo)致器件性能降低,如少數(shù)載流子壽命降低和PN結(jié)附近漏電流增大。鈉在二氧化硅中擴(kuò)散快。氧化層中少量鈉就會(huì)引起MOS場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟電壓的不穩(wěn)定,也可降低閘氧化層的擊穿電壓。

   表9,12~是國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)2009年發(fā)布的晶片表面準(zhǔn)備的技術(shù)發(fā)展要求。如表9,l所述,在2009年,關(guān)鍵顆粒直徑是25.8nm,到⒛16年,將被縮減到11.3nm;關(guān)鍵問(wèn)氧化層完整性(GOI)表面金屬限定為0,5×10Ⅱ atoms/cm2;對(duì)于清洗后,硅和氧化硅的損失也有更加苛刻的規(guī)定,如2009年要求一次清洗小于0.4A,2o1o以后是o。3A。有關(guān)晶片表面準(zhǔn)各的更多要求可瀏覽ITRS指標(biāo)(http〃/www.itrs。neO。下一節(jié),我們將討論怎樣通過(guò)各種濕法處理以達(dá)到這些要求。