半導(dǎo)體器件構(gòu)成的儲存器有動態(tài)隨機儲存器(DRAM),靜態(tài)隨機儲存器(sRAM),閃存(Flash)等。 TC75S55F儲存器測試的流程通常有圓片測試(wafer sort,W/S),激光修復(fù)(laserrepair J'/R),老化(burl△in,B/I),終測(final test,F/T)等。圓片測試有時叉稱為芯片針測(chip probing)。儲存器構(gòu)造的特點是電路單元規(guī)律重復(fù),管腳少,生產(chǎn)量很大。囚為儲存器的功能是數(shù)據(jù)儲存,所以測試的日的就是測試它的數(shù)據(jù)儲存功能。測試方法簡單地說就是把數(shù)據(jù)寫人,再讀出與原數(shù)據(jù)做比對;如果相同則功能通過.否則即失效。儲存器的每一儲存晶胞單元(cell)是由兩個地址作定位.分別是X.和Yc習(xí)慣上我們用棋盤方格來表示。

   現(xiàn)今的儲存器測試要求大量平行測試(parallel test),一次測試256顆芯片,甚至512顆。測試頻率可以達到數(shù)GHz。這需要昂貴的測試設(shè)備。