晶片濕法處理的機理

   晶片濕法處理有物理方法和化學方法兩種。物理方TC7WH34FU 法:使用水合動力、沖擊力等物理力,靠動量傳遞把污染物從晶片上分拆去除�；瘜W方法:使用物質間產生的化學反應,使污染物轉變、溶解或底切,加以去除。

   晶片濕法處理的范圍

   先進的IC制造需求各種濕法清洗和濕法刻蝕,概括講,包括晶片爐管前后清洗、化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)前后清洗、化學機械拋光(CMP)前后清洗、光阻(離子轟擊)灰化后清洗、光阻去除、前后段干刻蝕后聚合物和殘余物的清除、膜層濕法刻蝕、品背/

邊緣清洗等。