離子植人后清除。在IC器件的制作中,有關(guān)井(WELL)、低摻雜(I'DD)、重?fù)诫s(P/N十)的離子植人是器件成活的關(guān)鍵。在不同的步驟,濃度有高低之分,深淺有能量之分,S912XEG128J2MAA而光阻在高濃度或高能量轟擊下,有機(jī)分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,大分子之間形成鉸鏈,在離子植入后,晶片表面被一層有機(jī)物硬殼覆蓋。這層有機(jī)物去除依然是有氧電漿、無(wú)氧電漿灰化和濕法組合(SPM―)RCA),濕法組合也會(huì)選用極稀的氫氟酸和臭氧水(V()HP9¤()3)(未來(lái)可能成為主流)。這里需要強(qiáng)調(diào)的是氧電漿的使用,每次會(huì)損失少量硅,但步驟增多后,這個(gè)量漸漸增多,如圖9.8所示。

   (a,離子植人形成的鉸鏈或尢定形碳硬殼  (b)灰化誘導(dǎo)氧化和晶格損傷   (c)混法清洗產(chǎn)生硅凹陷和植人劑損失光阻的灰化和濕法清洗

   圖9.8 光阻灰化和濕法清洗

   在低端制程以前,較少考慮硅的損失,但65nm以后的CM(B制程,源極和漏極硅的損耗對(duì)器件的特性影響很大,所以氧電漿灰化未來(lái)可能會(huì)被其他方法取代,如全濕法去除,如圖9.9所示。