據(jù)美國FSI公司報道,它的ViPR噴射棒(spray bar)在單晶片噴射清洗機上,使用高溫(180℃以上)SPM制程, S912XEG128J2VAA對離子植人后的光阻,無需灰化,有較好的去除能力,可以很好地克服ZETA批處理噴射機臺(ZETA spray batch)的缺陷(對于劑量大、能量高的離子植入,這種全濕高溫法可能花費較長時間和耗費較多化學(xué)品)。最近應(yīng)用材料公司的SEMIT()OI'部門報道,使用單一晶片濕法處理機臺,在硫酸和雙氧水噴射到晶片的同時,位于晶片l=方的紅外燈輻射,可使SPM在30s內(nèi)升到300℃,植人劑量在10n~1013atom/cm2的光阻,溫度~900℃或稍高都可方便去除,且硅流失少,制程花費也較低[111,如圖9.10所示。

   一般來講,離子植人的成分大多沉積于硅表面的淺層,在熱退火之前,任何的表面處理都會對植入劑產(chǎn)生影響[15J。離子植人后的光阻去除劑采用的是SPM、SC1,相比較而言,SPM會形成一層氧化膜,而SC1既氧化又刻蝕,形成的膜層較薄,在熱退火后,SC1處理的硅層較SPM處理的硅層,要流失較多的植人劑・16Γ,從而對器件產(chǎn)生較大影響。高溫SPM對柵極側(cè)壁sN影響大。