H吖EG在氧化硅濕法刻蝕部分提過(guò),它對(duì)氮化硅刻蝕率比氧化硅要快,比率約1.5:1,也不侵蝕硅,有時(shí)應(yīng)用于CM()S的STI溝渠形成后氮化硅濕法回蝕步驟。W005G

   氮化硅HF濕法刻蝕

   49%HF對(duì)氮化硅(爐管或CVI))有高的刻蝕率,對(duì)氧化硅更高,因而不適宜制程應(yīng)用。也正是l,xl為它的高刻蝕率,對(duì)去除擋控片上的氮化硅很有效。其反應(yīng)如下ΙISi、NI+18H「―→H2SiFb+2(NHl)j SiFⅡ以爐管氮化硅(SiN)為幕罩的刻蝕,如淺溝渠隔離(s'I′I)刻蝕、側(cè)壁(()FFSET)刻蝕、主問(wèn)隙壁(SPACER)刻蝕,在刻蝕后,留下的殘留物一般含Θ、Si等元素,常用稀HF(濃度H20:HF約100:1或更稀)清除。對(duì)于CVD SiN為幕罩的刻蝕,陣i于稀HF對(duì)CVD⒏N的刻蝕率本身就比爐管siN大,加上刻蝕電漿對(duì)幕罩的表面轟擊,相對(duì)講這種膜刻蝕率就更大,因此刻蝕后殘留物的去除,需用更稀的HF,以避免高濃度HF過(guò)刻蝕影響關(guān)鍵尺寸的控制。