隨著CMC)S技術(shù)延伸到32/28nm和22/20nm節(jié)點以下,傳統(tǒng)的平面型器件也將被3D器件雙柵Fi艸FET結(jié)構(gòu)等取代,等離子體摻雜在半導(dǎo)體器件制造中應(yīng)用也提上了日程, OP113FS并且越來越廣泛。但傳統(tǒng)的離子注人技術(shù),由于它的準(zhǔn)確控制性(注入雜質(zhì)的純度,濃度及注人深度),優(yōu)良的而均勻性和重復(fù)性(單一硅片和硅片之間),況且離子注人設(shè)備本身有非常良好的穩(wěn)定性和可維護(hù)性,又有很強(qiáng)大的生產(chǎn)能力,因此離子注入仍將是摻雜的首選方法。在離子注人設(shè)備和置藝不斷改進(jìn)的同時(如離子注人角度的控制,能量污染的控制,低能量離子束的穩(wěn)定性和生產(chǎn)性的提高等),離子注人的應(yīng)用范圍也得到了不斷的拓展,比如說在更先進(jìn)的金屬柵工藝中功函數(shù)的調(diào)整、金屬硅化物接觸性能的改善、在應(yīng)力方面的應(yīng)用、改變薄膜的性質(zhì)與改變刻蝕或化學(xué)機(jī)械研磨的數(shù)率等,而各種離子注入技術(shù)間的結(jié)合(如用低溫的大分子以及與其他技術(shù)(如退火丁藝)間的結(jié)合)也越來越緊密。