掃描光學(xué)顯微方法(Scanning Optical Microscopy,S()M)是IC失效定位另一種常用及有效的方法,PM30RSF060業(yè)界因沒備制造商的不同,同一類型的設(shè)備有不同的名稱,但其基本原理是共通的,這些技術(shù)利用波長為1064nm或134Onm的雷射掃描芯片正面或背面。1064nm的雷射激發(fā)出電子-空穴對,常稱為光束誘發(fā)電壓調(diào)變(I'ight Induced Voltage Alternation,I'IVA);1340nm的雷射激發(fā)的能量,則被芯片以熱的形式吸收,被吸收的能量引起被掃描處特征阻值的變化,常稱為光速誘發(fā)電阻變化(Infrared Optical Bcam Induced ResistanccChange,OBIRCH)。

   LIVA

   當(dāng)波長為1064nm雷射掃描并照射IC表面時,岡其波長比硅的禁帶寬度(1100nm)略低,其光子能量略大于硅的帶隙,發(fā)生本征吸收,價帶電子將被激發(fā)至導(dǎo)帶,同時在價帶屮形成空穴,在芯片中激發(fā)出電子一空穴對,非平衡的電子和簾穴可越過禁帶發(fā)生輻射復(fù)合或通

過禁帶中的局域態(tài)發(fā)生輻射復(fù)合.并形成非平衡的電流,繪出影像。需射照射在缺陷處可產(chǎn)生高于常態(tài)3~4個數(shù)量級的LIˇA光子流,此法是給定電流,量測相應(yīng)的電壓調(diào)變,較適合來做有PN接面特性的定位。如連接到PN結(jié)的金屬互連開路和某些缺陷本身能增強電子-空 穴對復(fù)合,產(chǎn)生較強的LIˇA信號。HⅥ`定位技術(shù)靈敏度高,空問分辨率可達(0.75um,樣品制備簡單,同PEM類似。但因為芯片級產(chǎn)品的復(fù)雜性,雖然LIVΛ影像/亮點表示該處存在高于周邊的電子一空穴復(fù)合產(chǎn)生的光子流,真正引起失效的位置和I'IVA亮點不一定吻合,失效分析員對所分析產(chǎn)品的設(shè)計和版圖及物理原理均要有足夠的了解。