電壓襯度是以SEM的電子束或FIB的離子束作為探針的定位技術(shù)・對不可見缺陷能夠?qū)崿F(xiàn)地址的準(zhǔn)確定位,縮短失效分析的時(shí)間,是集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用最廣泛的非接觸式檢測樣品內(nèi)部節(jié)點(diǎn)表面電勢的技術(shù)。PLY10AN1430R5R2B該方法已廣泛應(yīng)用于集成電路內(nèi)部線路或晶體管層次的失效定位,尤其在深亞微米技術(shù)領(lǐng)域。PVC是掃描電鏡的一項(xiàng)基本應(yīng)用,也是另外一種有效的失效分析工具,結(jié)合離子束切割技術(shù),對集成電路進(jìn)行失效分析。

   Voltage Contract利用SEM的電子束或F1B的離子束與固體樣品相互作用后產(chǎn)牛的二次電子受樣品表面電勢高低影響,來調(diào)制樣品表面二次電子的發(fā)射,將樣品表面形貌襯度和電壓襯度疊加在一起,產(chǎn)生明暗對比比較明顯的襯度像的一種技術(shù)。將它與集成電路電學(xué)特性結(jié)合起來,根據(jù)電路中金屬互聯(lián)層和半導(dǎo)體器件單元上的不同電勢,能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片進(jìn)行失效地址定位和失效機(jī)制分析。被動(dòng)電壓襯度PVC是利用SEM電子束或FIB的離子束為探針,不同于常規(guī)外加偏置,故稱為被動(dòng)電壓襯度。有關(guān)PVC、sEM和FIB的原理、在IC失效分析中的應(yīng)用將在微分析技術(shù)章節(jié)加以詳細(xì)介紹L17J。