新型的發(fā)光顯微鏡配有ΘBIRCH新功能。圖14.8是OBIRCH的原理圖,利用波長為1340nm的霄射掃描芯片的正面或背面,檢測器件電壓/阻值或者電流的變化; PMBT2369雷射激發(fā)的能量以熱的形式被芯片特征吸收,引起溫度變化,溫度變化又間接引起特征阻值的變化。如果特征阻值的改變引起整個器件的電壓、阻抗或電流變化,這個變化在電學(xué)卜容易檢測得到,所以雷射注人技術(shù)探測的重點(diǎn)區(qū)域是要在這個區(qū)域有阻抗的變化。如果互連線中存在缺陷或者空洞,這些區(qū)域附近的熱量傳導(dǎo)不同于其他的完整區(qū)域,將引起局部溫度變化,從而引起電阻值改變ΔR,如果對互連線施加恒定電壓,則表現(xiàn)為電流變化,通過此關(guān)系,將熱引起的電阻變化和電流變化聯(lián)系起來。將電流變化的大小與所成像的像素 亮度對應(yīng),像素的位置和電流發(fā)生變化時雷射掃描到的位置相對應(yīng)。這樣,就可以產(chǎn)生OP,lRCH像來定位缺陷。