二次電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的變化不大,它主要取決于表面形貌。在二次電f發(fā)射過程次電子的數(shù)日原電子數(shù)日的比值稱為二次電子產(chǎn)額,主要與入射電f能量、人射電T048-2DCN子人射角、材料的逸出功以及表面粗糙度有關(guān)。圖⒒.23為二次電子產(chǎn)額勹入射電子能壁的關(guān)系,曲圖可見,人射電子能量E較低時,隨束能增加二次電子產(chǎn)額ε增加,而在高束能區(qū),ε隨F增加而逐漸降低。這是因為當(dāng)電子能量開始增加時,激發(fā)出來的二次電子數(shù)量白然要增加.同時.電子進(jìn)人到試樣內(nèi)部的深度增加,深部lx域產(chǎn)生的低能二次電子在像表面運動過程中被吸收。由于這兩種因素的影響人射電子能量與a之間的曲線上出現(xiàn)極大值,這就是說,在低能區(qū),電子能量的增加主要提供更多的二次電子激發(fā),高能區(qū)主要是增加入射電子的穿透深度。在圖中可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)能量介于E1和E2之間,二次電子產(chǎn)額ε>1。