如圖1-4所示的前端工藝的主要加工步驟包括氧化、光刻、刻蝕、離子注入和金屬化。氧化A416316BS-35/Q是將s⒑2覆蓋整個晶圓表面,目的是在許多器件結(jié)構(gòu)里起絕緣層作用。

   光刻技術(shù)用來確定PN結(jié)的幾何結(jié)構(gòu):首先在晶圓表面覆蓋一層稱為抗蝕劑的紫外光(UV)光敏材料,然后在80~100℃的高溫下烘烤晶圓,以便除凈抗蝕劑中的溶劑,從而硬化抗蝕劑,提高其黏附性,最后用UⅤ光源透過有圖形的掩膜對晶圓進行曝光。

   刻蝕主要是用氫氟酸(HF)溶液除去未受保護的sio2層面。離子注入是通過加速雜質(zhì)離子到高能級,并把它們植入半導(dǎo)體,這樣要用的摻雜物就被引入半導(dǎo)體內(nèi),而Sio2用來阻擋摻雜物的擴散或離子注入。金屬化是用化學(xué)氣相淀積或者物理氣相淀積方法在晶圓表面形成金屬膜,以實現(xiàn)歐姆接觸和互連。前端工藝常常直接被稱為半導(dǎo)體生產(chǎn)線,是半導(dǎo)體制造過程中最復(fù)雜和最關(guān)鍵的部分,在300mm晶圓生產(chǎn)線上,有60%以上的設(shè)各是采用單晶圓制造技術(shù)的集束型裝備,故集束型裝備的產(chǎn)能極大影響著半導(dǎo)體生產(chǎn)線的效率。