半導(dǎo)體二極管的特性
發(fā)布時間:2017/12/14 21:07:43 訪問次數(shù):1345
1)正向特性 MBRS340
如圖3-5-zI所示,當(dāng)二極管兩端加正向電壓時,二極管導(dǎo)通。當(dāng)正向電壓很低時,電流很小,二極管呈現(xiàn)較大的電阻,這一區(qū)域稱為死區(qū)。鍺管的死區(qū)電壓約為0.1V,導(dǎo)通電壓約為0.3V;硅管的死區(qū)電壓約為0.5V,導(dǎo)通電壓約為0.7V。當(dāng)外加電壓超過死區(qū)電壓后,二極管內(nèi)阻變小,電流隨著電壓增加而迅速上升,這就是二極管的正常工作區(qū)。在正常工作區(qū)內(nèi),當(dāng)電流增加時,管壓降稍有增大,但壓降很。
2)反向特性
如圖3-5叫所示,當(dāng)二極管兩端加反向電壓時,此時通過二極管的電流很小,且該電流不隨反向電壓的增加而變大,這個電流稱為反向飽和電流。反向飽和電流受溫度影響較大,溫度每升高10℃,電流增加約1倍。在反向電壓作用下,二極管呈現(xiàn)較大的電阻(反向電阻)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時,反向電流將急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿,這時的電壓稱為反向擊穿電壓。
1)正向特性 MBRS340
如圖3-5-zI所示,當(dāng)二極管兩端加正向電壓時,二極管導(dǎo)通。當(dāng)正向電壓很低時,電流很小,二極管呈現(xiàn)較大的電阻,這一區(qū)域稱為死區(qū)。鍺管的死區(qū)電壓約為0.1V,導(dǎo)通電壓約為0.3V;硅管的死區(qū)電壓約為0.5V,導(dǎo)通電壓約為0.7V。當(dāng)外加電壓超過死區(qū)電壓后,二極管內(nèi)阻變小,電流隨著電壓增加而迅速上升,這就是二極管的正常工作區(qū)。在正常工作區(qū)內(nèi),當(dāng)電流增加時,管壓降稍有增大,但壓降很。
2)反向特性
如圖3-5叫所示,當(dāng)二極管兩端加反向電壓時,此時通過二極管的電流很小,且該電流不隨反向電壓的增加而變大,這個電流稱為反向飽和電流。反向飽和電流受溫度影響較大,溫度每升高10℃,電流增加約1倍。在反向電壓作用下,二極管呈現(xiàn)較大的電阻(反向電阻)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時,反向電流將急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿,這時的電壓稱為反向擊穿電壓。
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