選用半導體三極管時,一要符合設備及電路的要求,二要符合節(jié)約的原則。根H27U2G8F2CTR-BC據用途的不同,一般應考慮以下幾個因素:工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大系數(shù)、反向擊穿電壓、穩(wěn)定性及飽和壓降等。這些因素具有相互制約的關系,在選用三極管時應抓住主要因素,兼顧次要因素。

   低頻管的特征頻率彡一般在2,5MHz以下,而高頻管的/T從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選用三極管時應使/T為工作頻率的3~10倍。原則上講,高頻管可以代換低頻管,但是高頻管的功率一般都比較小,動態(tài)范圍窄,在代換時應注意功率條件。

   一般希望`值選大一些,但也不是越大越好。'值太高了容易引起自激振蕩,而且一般'值高的管子工作多不穩(wěn)定,受溫度影響大。通常'值多選40~100。另外,對整個電路來說,還應該從各級的配合來選擇'值。例如,前級用'值高的,后級就可以用`值較低的三極管;反之,前級用'值較低的,后級就可以用'值較高的三極管。

   集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓%Ec,應選得大于電源電壓。穿透電流越小,對溫度的穩(wěn)定性越好。普通硅管的穩(wěn)定性比鍺管好得多,但普通硅管的飽和壓降比鍺管大,在某些電路中會影響電路的性能,應根據電路的具體情況選用。選用晶體管的耗散功率時,應根據不同電路的要求留有一定的余量。

   對于高頻放大、中頻放大、振蕩器等電路用的三極管,應選用特征頻率/1高、極間電容較小的三極管,以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩(wěn)定性。