對(duì)器件不產(chǎn)生物理?yè)p傷的檢測(cè)。在失效SY88903VKI分析流程中常指不必打開封裝對(duì)樣品進(jìn)行失效定位和失效分析的技術(shù)。主要用于封裝缺陷和引線斷裂的失效定位,采用的主要儀器包括X射線透視和掃描聲學(xué)顯微鏡,具有不必打開封裝的優(yōu)點(diǎn)。

   半破壞性分析

   在器件外部實(shí)施了相應(yīng)的非破壞性分析后,便可以進(jìn)行半破壞性分析。主要包括:

   開封:電子器件兩類常用的開封方法是機(jī)械方法和化學(xué)方法。半破壞分析常用化學(xué)方法中的自動(dòng)(Jet Etch;塑封器件噴射腐蝕開封)開封,一般用于環(huán)氧樹脂密封的器件。

   即對(duì)器件進(jìn)行部分開封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管腳和內(nèi)引線和壓焊點(diǎn)的完整性及電學(xué)性能完整,為后續(xù)失效定位做備。lJxl此,也常被歸在失效定位的范疇內(nèi)。此步驟的關(guān)鍵是保持器件的電學(xué)特性開封前后的一致性。