分析數(shù)據(jù)時(shí),從不同角度去理解,得到的結(jié)論可能會有很大的差異:這要求⒈程分析員具備相應(yīng)的知識和技能,對于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行深人的挖掘圖17,25給出了一個(gè)典型的案例。TJA1040T/N1單從wafer Rs的均值而言,右邊兩wafer間的差距更明顯,不過當(dāng)用boxplot比較整片wafer的Rs分布時(shí),左邊兩wafer間的差異更為顯著。

   Cld leaming的第六個(gè)要素是失效定位(failure isolation)、失效分析(failure analysis)能力。失效定位和失效分析有時(shí)候也被統(tǒng)稱為失效分析(FA)。

   典型的FA方法,有EFA(electhcal failurc analysis)和PFA(pr°cess hlure analysis)。前者包含一些常用的工具、方法如:Mem。ry的測試,VC(voltage contrast),I￡D(liquidcrystal detection),()BRICH(optical beam induced resistance changc),E1√【MI(emissionmicroscopy)等。后者包含SEM,TEM,EDs,FIB,SRP等。

有效的FA,可以對失效樣品深入挖掘,直觀地觀察失效電學(xué)、物理特征,找出失效的物理機(jī)制。良好的FA結(jié)果,能切中要害,直指問題發(fā)生的根源。

   圖17,26展示了一個(gè)典型的FA案例。這片wafer從binmap上看遭遇了嚴(yán)重的工藝異常(e昶ursion),不過從bin測試的信息不能得知該異常的丁藝來源。通過FA,最終定位到了Via,剖面圖非常清晰展示了失效的Via的結(jié)構(gòu).

   需要注意的是,EFA PFA是一種有效的診斷手段,卻不應(yīng)作為問題產(chǎn)生時(shí)的第一考慮.這主要是由于FA的局期較長(通常FA本身聽需程時(shí)間不長.但是排隊(duì)時(shí)間往往很長.FA的設(shè)備、資源成本很高),過于依賴FA會使learning cycle變得很長.學(xué)習(xí)效率低下。