苦DUT有網(wǎng)絡(luò)通信功能(如J185o、CAX、HX),應(yīng)模擬實(shí)車(chē)條件下的網(wǎng)絡(luò)通信
發(fā)布時(shí)間:2019/1/18 19:15:37 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):889
測(cè)試應(yīng)按以下步騾進(jìn)行: KDZTR12B
(1)確定DUT是完全正常的:苦DUT有網(wǎng)絡(luò)通信功能(如J185o、CAX、HX),應(yīng)模擬實(shí)車(chē)條件下的網(wǎng)絡(luò)通信:具體的網(wǎng)絡(luò)通信報(bào)文、總線(xiàn)利用率等、應(yīng)記錄在測(cè)試計(jì)劃中;
(2)對(duì)DUT最終設(shè)計(jì)狀態(tài)所有暴露的軸、按鍵、開(kāi)關(guān)及表面(包括按鍵與面板之間的空氣間隙),按測(cè)試要求,實(shí)施接觸放電和空氣放電。所有放電位置應(yīng)在測(cè)試計(jì)劃中明確規(guī)定。對(duì)每個(gè)規(guī)定的放電點(diǎn),應(yīng)按照要求的放電電壓,分別使用正、負(fù)極放電各3次;
(3)若DUT安裝在乘客艙或后各箱中能被人接觸到的位置,應(yīng)按照測(cè)試序列4重復(fù)步驟(2);
(4)對(duì)DUT那些能被人接觸到的遠(yuǎn)端輸人應(yīng)重復(fù)步驟(2)和步驟(3);
(5)對(duì)DUT那些能通過(guò)診斷口被人接觸到的通信總線(xiàn),應(yīng)重復(fù)步驟(2)中1~3壩刂試序列;
(6)對(duì)安裝在乘客艙內(nèi),但能直接從車(chē)外接觸到的DUT表面(如轉(zhuǎn)向燈開(kāi)關(guān)手柄、車(chē)窗開(kāi)關(guān)),及能直接從車(chē)外接觸到的(如無(wú)鑰匙進(jìn)人按鍵)DUT表面,應(yīng)實(shí)施±乃kⅤ(序列5)的靜電放電測(cè)試。對(duì)每個(gè)規(guī)定的放電點(diǎn),應(yīng)按要求的放電電壓,分別使用正、負(fù)極放電各3次;
(7)所有靜電放電測(cè)試完成后(包括裝卸與安裝ESD測(cè)試),應(yīng)實(shí)施功能性能及參數(shù)測(cè)試,以檢查DUT是否滿(mǎn)足表C-2中的斷電測(cè)試要求。
測(cè)試應(yīng)按以下步騾進(jìn)行: KDZTR12B
(1)確定DUT是完全正常的:苦DUT有網(wǎng)絡(luò)通信功能(如J185o、CAX、HX),應(yīng)模擬實(shí)車(chē)條件下的網(wǎng)絡(luò)通信:具體的網(wǎng)絡(luò)通信報(bào)文、總線(xiàn)利用率等、應(yīng)記錄在測(cè)試計(jì)劃中;
(2)對(duì)DUT最終設(shè)計(jì)狀態(tài)所有暴露的軸、按鍵、開(kāi)關(guān)及表面(包括按鍵與面板之間的空氣間隙),按測(cè)試要求,實(shí)施接觸放電和空氣放電。所有放電位置應(yīng)在測(cè)試計(jì)劃中明確規(guī)定。對(duì)每個(gè)規(guī)定的放電點(diǎn),應(yīng)按照要求的放電電壓,分別使用正、負(fù)極放電各3次;
(3)若DUT安裝在乘客艙或后各箱中能被人接觸到的位置,應(yīng)按照測(cè)試序列4重復(fù)步驟(2);
(4)對(duì)DUT那些能被人接觸到的遠(yuǎn)端輸人應(yīng)重復(fù)步驟(2)和步驟(3);
(5)對(duì)DUT那些能通過(guò)診斷口被人接觸到的通信總線(xiàn),應(yīng)重復(fù)步驟(2)中1~3壩刂試序列;
(6)對(duì)安裝在乘客艙內(nèi),但能直接從車(chē)外接觸到的DUT表面(如轉(zhuǎn)向燈開(kāi)關(guān)手柄、車(chē)窗開(kāi)關(guān)),及能直接從車(chē)外接觸到的(如無(wú)鑰匙進(jìn)人按鍵)DUT表面,應(yīng)實(shí)施±乃kⅤ(序列5)的靜電放電測(cè)試。對(duì)每個(gè)規(guī)定的放電點(diǎn),應(yīng)按要求的放電電壓,分別使用正、負(fù)極放電各3次;
(7)所有靜電放電測(cè)試完成后(包括裝卸與安裝ESD測(cè)試),應(yīng)實(shí)施功能性能及參數(shù)測(cè)試,以檢查DUT是否滿(mǎn)足表C-2中的斷電測(cè)試要求。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- PWM信號(hào)產(chǎn)生芯片采用KA3525A
- MLCT輻射躍遷概率取決于重金屬的軌道自旋耦
- LDO芯片前端增加的二極管并不能阻擋浪涌電流
- 數(shù)字萬(wàn)用表的使用
- 本測(cè)試應(yīng)按ISO 1I452-9要求的步驟進(jìn)
- 選用器件時(shí)一定要注意器件的特性
- 高速時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)載通常較重
- 電壓跌落、短時(shí)中斷和電壓漸變的抗擾度測(cè)試目的
- 芯片電流引腳上磁珠與去耦電容的位置
- 輻射電磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試方法
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細(xì)]
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