其中9R為顯影速率,ε為曝光能量。其中完全顯影對應(yīng)的能量(dose to ),也就是把一定厚度的光刻膠.對一個給定的烘焙和顯影程序完全溶解和清洗干凈所需要的曝光能量。通常這個能量比曝光能量要低一些。 JA3214-OS-A04在光刻T藝仿真上,由于當(dāng)今的深紫外化學(xué)增幅的光刻膠的對比度都很高,我們可以近似將中的曲線近似為階躍函數(shù),也就是光刻仿真中的閾值模型(threshold modcl)的由來,當(dāng)然,我們還需要對空間像做一階高斯擴散,或者卷積,如式(748)、式(758)、式(770),然后再取閾值,有關(guān)如何將光刻膠的顯影過程融人光刻工藝仿真和光刻膠顯影過程的進一步描述,請參考文獻(xiàn)。

   掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式。由于現(xiàn)代光刻機一般使用4:l的縮小倍率,掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工藝的掩膜版誤差囚子以及對亞衍射散射條(Sut,Resolution Assist Feature,SRAF)的需求,掩膜版的制造也愈發(fā)具有挑戰(zhàn)性。比如,對于32nm△藝,對掩膜版線寬的要求已經(jīng)達(dá)到了2nm(3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差)以內(nèi)。對于線寬,由于使用了亞衍射散射條,其最小線寬已經(jīng)達(dá)到了70~80nm。無論是電子束曝光也好,激光曝光也好,由于曝光方式是掃描式的,無論掩膜版上的圖形如何復(fù)雜,或者線寬如何多佯化,電子束、激光束走的路徑和歷經(jīng)的格點(grid point)都是一樣的。只是在不同的格點處使用的掃描曝光次數(shù)不一樣。而且,為了提高掃描式曝光方法的速度,通過使用較大光斑的電子束加不同的曝光次數(shù)來實現(xiàn)空間像邊緣位置的移動。比如,光斑的直徑是實際掩膜版格點的4倍(一次掃描可以提高16倍速度),為了表達(dá)在實際格點處的邊緣,只要將邊緣的光斑位置逐次減少曝光次數(shù),以起到匹配邊緣的目的。