隨著器件變得更小,如果氯化物/氮化物(()N)隔離的器件與氮化物氧化物氮化物(N()N)隔離的器件相比的話,在有著同樣的側(cè)墻寬度的情況下,就sH'C(應(yīng)力引人的漏電)和yJ移動來說,氧化物/氮化物(ON)顯示出更好的可靠性,HCF4011BE這些特性是山T氮化物和氧化物薄膜之間不同的機械應(yīng)力造成的c另外,ON側(cè)墻的丁藝集成很簡單.()N側(cè)墻的刻蝕通常是含氫的碳氟化合物氣體來進行的,這包括CH。氮化物和氧化物的刻蝕速率高度依賴于所有等離子中氧氣含量的百分比。氧氣加人到刻蝕氣體屮,使得等離子氣相發(fā)生變化,特別是對氫濃度的改變。氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降,囚為CFk刻蝕劑減少r。氮化物的刻蝕速率與氫在等離子∠t相中的濃度有著密切的關(guān)系。氫叮以同CN反應(yīng)生成HtlN,減少了氮化物表而聚合物的厚度.襯底上的氮原子去除得到了增強,因此氮化物的刻蝕速率隨氫的濃度增加。結(jié)果是在引人最大的氫濃度和適量的氧濃度下,得到了氮化物和氧化物相比,相對高的選擇性。在側(cè)墻刻蝕屮,除F選擇性控制外,預(yù)刻蝕和后刻蝕方案對解決CHkF、腔室記憶效應(yīng)極具吸引力。所顯示的,這種記憶效應(yīng)將導致側(cè)墻頂部過多的損失以及多晶硅柵兩側(cè)的側(cè)墻高度隨機忤非對稱。

   如果在側(cè)墻刻蝕和濕法去膠間的等待時間比較κ,留在SiN L的CHI將腐蝕SiN薄膜。在預(yù)刻蝕方案中,被川來清洗腔室,以減小側(cè)墻頂部的損失。而在后刻蝕屮,為了獲得對稱的側(cè)墻高度,利用未偏置的OJ來緩和腔室記憶效應(yīng)。

   最終AEI CD和孔的粗糙度(圓度)來評估。結(jié)果顯示,無論引人CHF3還是CH2F2,都將降低光刻膠的選擇性。光刻膠的選擇性隨CH|/CHF;比率的減少而線性降低。盡管僅有CH4的條件下,對光刻膠的選擇性優(yōu)于其他組,但它的AEI CD比目標值大了8nm。相比之下,CH4/CHF3=5和CFl/CH2F2=10成功地減少AΠ CD,達到了目標值。然而,當我們檢查僅有CF1的條件和那兩個AEI CD達標組別的頂視圖,就會發(fā)現(xiàn)CH4/CHF3=5在好的粗糙度(圓度)和達標的AEI CD方面是一個有潛力的候選者,CH2F2產(chǎn)生的聚合物太多,導致接觸孔的粗糙度變得更差。