考慮到后續(xù)的問隙填充,在孔與溝槽的應用中,純粹的各向異性刻蝕出的形狀是不能接受的。 HA17384HPS藝中希望得到大于85°角有輕微錐形的形狀,倒錐型形狀除了SiGeェ藝外很少用到:淺槽隔離巾溝槽頂部圓弧結構對減少器件漏電是有好處的。雙斜坡的結構是由于兩個刻蝕步驟間非平滑的過渡造成的。微溝槽結構是源于在溝槽底刻蝕離子從側墻反射和側墻的陰影效應之間的協(xié)同效應。對停止層的高選擇比會產(chǎn)生底部缺口,這可能會對后續(xù)阻擋種子層△藝提出挑戰(zhàn)。密集間隔處離子的折射或者低慮材料損傷會導致孔或者溝槽出現(xiàn)圓弧形的形狀。在后端△藝中,圓弧形的形狀傾向于更壞的TDDB(與時問相關的介質擊穿)特性。在通孔雙大馬士革△藝的溝槽刻蝕過程中,在通孔周圍產(chǎn)生的圍欄和刻面是兩個典型的不利結構。它們會在銅金屬化過程中帶來問題,并最終導致器件失效。如果將填充材料的回刻時間增加,通孔口~L的圍欄有可能減小。最終圍欄和刻面的特性在很大程度取決于填充材料的回刻與溝槽主刻蝕的組合。通常在實際制作工藝中,輕微的圍欄是可以接受的。

   雖然半導體晶圓的尺寸從途in增加到了12in,今天所用的制造微電子器件的干法刻蝕I藝的開發(fā)在很大程度上還是大量耗費時間和金錢的實驗探索。部分原因是由于腔室尺寸的增大、緊密交織在一起的各種△藝材料以及苛刻的工藝要求,造成了眾所周知的I藝開發(fā)的復雜性。研發(fā)人員在設計大尺寸干法刻蝕機時,如果沒有深刻地理解刻蝕過程中的基礎物理化學反應,就不可避免地要耗費大量的金錢與時間。等離子表面相互作用的基礎研究,無淪是實驗的還是數(shù)值的,在工藝和刻蝕反應器的開發(fā)過程中都起到了關鍵作用,為限制巨大的△藝變量空間提供了重要見解。簡而言之,干法刻蝕建模是減小昂貴實驗負擔,加快大尺寸刻蝕反應器開發(fā)的必要方式。