與導(dǎo)線和設(shè)各外殼有關(guān)的寄生電容和電感是共模耦合回路的主要部分
發(fā)布時(shí)間:2019/2/2 22:03:38 訪問(wèn)次數(shù):966
與導(dǎo)線和設(shè)各外殼有關(guān)的寄生電容和電感是共模耦合回路的主要部分, OX16PCI954-TQA1G在很大程度上決定著共模電流的幅度和頻譜分布。這些寄生電抗由設(shè)備各部分之間的高頻分布參數(shù)產(chǎn)生,而不是設(shè)計(jì)的,因此控制或預(yù)測(cè)這些參數(shù)比控制或預(yù)測(cè)那些決定差模耦合的參數(shù)(如電纜的間隔和濾波參數(shù))更困難。
天線模電流沿電纜和地平面同向傳輸,如圖2-11(c)所示。天線模電流通常不由內(nèi)部騷擾產(chǎn)生,但是當(dāng)整個(gè)系統(tǒng)(包括接地平面)暴露于外場(chǎng)時(shí),天線模電流將會(huì)流動(dòng)。
例如,飛機(jī)飛人雷達(dá)發(fā)射的波束區(qū)域時(shí),飛機(jī)機(jī)身作為內(nèi)部設(shè)備的接地平面,它像內(nèi)部導(dǎo)線一樣傳輸同樣的電流。
當(dāng)不同電流通路上的阻抗不同時(shí),天線模電流會(huì)變?yōu)椴钅;蚬材?這時(shí)天線模就成為系統(tǒng)的輻射場(chǎng)敏感性問(wèn)題。
EMC設(shè)計(jì)要點(diǎn)
EMC設(shè)計(jì)的內(nèi)容如下。
(1)分析設(shè)備或系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境和要求,正確選擇設(shè)計(jì)的主攻方向;
(2)精心選擇產(chǎn)品所使用的頻率,制定EMC要求和控制計(jì)劃;
(3)對(duì)元器件、模塊、電路采取合理的干擾抑制和防護(hù)技術(shù)。
EMC設(shè)計(jì)的主要參數(shù)有限額值、安全裕度和費(fèi)效比。電磁干擾形成的三要素為電磁騷擾源、耦合途徑(或傳播通道)、敏感設(shè)各。 針對(duì)形成電磁干擾的三要素,EMC設(shè)計(jì)可以分別從抑制電磁騷擾源、切斷耦合途徑或傳播通道(抑制干擾耦合)、提高敏感設(shè)備抗擾度這幾個(gè)方面去努力。
與導(dǎo)線和設(shè)各外殼有關(guān)的寄生電容和電感是共模耦合回路的主要部分, OX16PCI954-TQA1G在很大程度上決定著共模電流的幅度和頻譜分布。這些寄生電抗由設(shè)備各部分之間的高頻分布參數(shù)產(chǎn)生,而不是設(shè)計(jì)的,因此控制或預(yù)測(cè)這些參數(shù)比控制或預(yù)測(cè)那些決定差模耦合的參數(shù)(如電纜的間隔和濾波參數(shù))更困難。
天線模電流沿電纜和地平面同向傳輸,如圖2-11(c)所示。天線模電流通常不由內(nèi)部騷擾產(chǎn)生,但是當(dāng)整個(gè)系統(tǒng)(包括接地平面)暴露于外場(chǎng)時(shí),天線模電流將會(huì)流動(dòng)。
例如,飛機(jī)飛人雷達(dá)發(fā)射的波束區(qū)域時(shí),飛機(jī)機(jī)身作為內(nèi)部設(shè)備的接地平面,它像內(nèi)部導(dǎo)線一樣傳輸同樣的電流。
當(dāng)不同電流通路上的阻抗不同時(shí),天線模電流會(huì)變?yōu)椴钅;蚬材?這時(shí)天線模就成為系統(tǒng)的輻射場(chǎng)敏感性問(wèn)題。
EMC設(shè)計(jì)要點(diǎn)
EMC設(shè)計(jì)的內(nèi)容如下。
(1)分析設(shè)備或系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境和要求,正確選擇設(shè)計(jì)的主攻方向;
(2)精心選擇產(chǎn)品所使用的頻率,制定EMC要求和控制計(jì)劃;
(3)對(duì)元器件、模塊、電路采取合理的干擾抑制和防護(hù)技術(shù)。
EMC設(shè)計(jì)的主要參數(shù)有限額值、安全裕度和費(fèi)效比。電磁干擾形成的三要素為電磁騷擾源、耦合途徑(或傳播通道)、敏感設(shè)各。 針對(duì)形成電磁干擾的三要素,EMC設(shè)計(jì)可以分別從抑制電磁騷擾源、切斷耦合途徑或傳播通道(抑制干擾耦合)、提高敏感設(shè)備抗擾度這幾個(gè)方面去努力。
熱門點(diǎn)擊
- 關(guān)電源初級(jí)地與次級(jí)地之間的隔離電容也須使用Y
- 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到45nm節(jié)點(diǎn)以下
- 接觸模式是AM最直接的成像模式
- 探針的定位與掃描需要非常高的尺寸精度
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- 碰撞電離產(chǎn)生的電子空穴對(duì)會(huì)產(chǎn)生更多的電子空穴
- 掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式
- 淺槽隔離巾溝槽頂部圓弧結(jié)構(gòu)對(duì)減少器件漏電是有
- 氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降
- 地線面的一個(gè)主要好處是能夠使輻射的環(huán)路最小
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
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