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負載的變化會引起電源騷擾

發(fā)布時間:2019/2/4 19:36:07 訪問次數(shù):913

    在直流電源回路中,負載的變化會引起電源騷擾。例如,在數(shù)字電路中,當(dāng)電路從一種狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,成瞬變的騷擾電壓。A3933SEQ局部去耦能夠減少沿著電源干線的騷擾傳播。連接在PCB的電源輸入口與地的大容量旁路電容起著一個低頻騷擾濾波器的作用,同時作為一個電能儲存器以滿足突發(fā)的功率需求。此外,在每個℃的電源和地之間都應(yīng)當(dāng)有去耦電容,這些去耦電容應(yīng)該盡可能的接近£電源引腳,這將有助于濾除IC的開關(guān)騷擾。

   對于抗噪能力弱、開關(guān)時電流變化大的器件,如RAM、RoM存儲器件,應(yīng)在 芯片的電源線和地線之間直接接人去耦電容。 電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線,應(yīng)使用貼片陶瓷

電容。

   去耦電容值的選取并不嚴(yán)格,可按C〓1〃計算:即10MHz的電路取0.1uF。 對微控制器構(gòu)成的系統(tǒng),取0.1~0.01uF之間都可以。好的高頻去耦電容可以去 除高達1GHz的高頻成分。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。 此外,還應(yīng)注意以下兩點。

   在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元器件時,操作它們時均會產(chǎn)生較大火花放 電,必須采用RC吸收電路來吸收放電電流,一般R取1~2kΩ,C取2.2~4.7uFo CMOs電路的輸入阻抗很高,且易受感應(yīng),因此在使用時對不用端要通過電阻接地或接電源,不允許懸空。


配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的騷擾,其配置原則如下。

   在PCB的電源入口處,其電源、地線之間應(yīng)加上去耦電容。經(jīng)常并聯(lián)一大(10~220uF)一小(0.1uF)兩個電容或者并聯(lián)兩個一樣大的大電容,以用于直流電源去耦。大電容用于去除低頻干擾,小電容用于去除高頻干擾。

   原則上每個中小規(guī)模IC芯片都應(yīng)布置一個0.01uF的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可每4~8個芯片布置一個1~10uF的鉭電容(這種去耦方式不允許使用在高速電路中)。這種器件的高頻阻抗小,在500kHz~⒛MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。最好不用鋁電解電容,鋁電解電容是兩層溥膜卷起來的,這種結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。


    在直流電源回路中,負載的變化會引起電源騷擾。例如,在數(shù)字電路中,當(dāng)電路從一種狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,成瞬變的騷擾電壓。A3933SEQ局部去耦能夠減少沿著電源干線的騷擾傳播。連接在PCB的電源輸入口與地的大容量旁路電容起著一個低頻騷擾濾波器的作用,同時作為一個電能儲存器以滿足突發(fā)的功率需求。此外,在每個℃的電源和地之間都應(yīng)當(dāng)有去耦電容,這些去耦電容應(yīng)該盡可能的接近£電源引腳,這將有助于濾除IC的開關(guān)騷擾。

   對于抗噪能力弱、開關(guān)時電流變化大的器件,如RAM、RoM存儲器件,應(yīng)在 芯片的電源線和地線之間直接接人去耦電容。 電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線,應(yīng)使用貼片陶瓷

電容。

   去耦電容值的選取并不嚴(yán)格,可按C〓1〃計算:即10MHz的電路取0.1uF。 對微控制器構(gòu)成的系統(tǒng),取0.1~0.01uF之間都可以。好的高頻去耦電容可以去 除高達1GHz的高頻成分。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。 此外,還應(yīng)注意以下兩點。

   在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元器件時,操作它們時均會產(chǎn)生較大火花放 電,必須采用RC吸收電路來吸收放電電流,一般R取1~2kΩ,C取2.2~4.7uFo CMOs電路的輸入阻抗很高,且易受感應(yīng),因此在使用時對不用端要通過電阻接地或接電源,不允許懸空。


配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的騷擾,其配置原則如下。

   在PCB的電源入口處,其電源、地線之間應(yīng)加上去耦電容。經(jīng)常并聯(lián)一大(10~220uF)一小(0.1uF)兩個電容或者并聯(lián)兩個一樣大的大電容,以用于直流電源去耦。大電容用于去除低頻干擾,小電容用于去除高頻干擾。

   原則上每個中小規(guī)模IC芯片都應(yīng)布置一個0.01uF的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可每4~8個芯片布置一個1~10uF的鉭電容(這種去耦方式不允許使用在高速電路中)。這種器件的高頻阻抗小,在500kHz~⒛MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。最好不用鋁電解電容,鋁電解電容是兩層溥膜卷起來的,這種結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。


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