某型DDS器件的電離總劑量輻照試驗

   某型DDs器件(直接數(shù)字頻率合成器),采用外延硅0.13um CMOs工藝,6層金屬布線.M24C32-WMN6TP器件內核工作電壓為1,2V,外部V0工作電壓為3,3V,其引腳排列圖如圖3-14所示。

   因此,該器件采用MOs器件的試驗流程進行試驗,具體試驗內容如下。

   l)輻射源選擇

   輻照源為鈷60澍線源。輻照場在試驗樣品輻照面積內的不均勻性小于10%。本試驗的總劑量輻照源為中國科學院上海應用物理研究所的鈷60側線源,或其他滿足要求的輻照源。

   2)試驗環(huán)境要求

   若無其他規(guī)定,所有試驗應該在下列環(huán)境中進行:環(huán)境溫度為15℃~35℃;相對濕度為20%RH~80%RH。

   3)試驗樣品選擇及處置

   樣本數(shù)為2只/每晶圓。另外抽取一只樣品不輻照作為對比樣品,對比樣品和輻照樣品一起每次進行電測試。

   4)劑量率及總劑量

   劑量率為0,5Gy(Si)人(±10%),規(guī)定總劑量為10OOGy(si)。

   5)電測要求

   總劑量輻照試驗前后的測試采用移位測試。在電參數(shù)測量時,先用對比樣品進行測量系統(tǒng)檢查,測試數(shù)據(jù)和被試樣品的測試數(shù)據(jù)一起保存。輻照前、后的電參數(shù)測試應在同一測試系統(tǒng)上進行,測試項目的順序和測試條件應保持不變,電參數(shù)測試的時間間隔遵守如下規(guī)定:

   (1)輻照結束到開始電參數(shù)測試的時間間隔不得超過1h。

   (2)上一次輻照結束到下一次輻照開始之間的時間間隔不得超過2h。

   如果輻照后的電參數(shù)測試采用移位測試的方式進行,那么將器件從輻射源移至測試地點進行測試,以及測試完畢返回輻射源繼續(xù)進行輻照的過程中,應將器件的所有引腳短接。