試驗過程中施加靜態(tài)偏執(zhí)條件,要求如下: M24C64-WDW6TP

   (l)器件的偏置電壓端施加手冊規(guī)定的電旺;

   (2)對于高電平有效的輸入瑞,通過電阻上拉至電源電壓;

   (3)對于低電平有效的輸入端,通過電阻下拉至地ε

   具體偏置條件如表3-11所示。

   表⒊11 具體偏置條件

   試驗流程

   試驗流程采用MOS器件試驗流程(見圖3-⒓)進(jìn)行,具體如下:

   第一步:利用UltraFLEX型大規(guī)模數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)對3只(其中一只對比備份樣接33x(1±1%)V品)進(jìn)行電參數(shù)測試,測試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。

   第二步:試驗現(xiàn)場布置,根據(jù)選擇的劑量率,將輻照試驗板放置在制定的位置,并驗證通信正常。

   第三步:開始輻照試驗,試驗過程中每隔10krad(si)記錄電源電流一次。

   第四步:當(dāng)輻照總劑量達(dá)到10Okrad(Si)時,輻照結(jié)束。將器件的引腳短接在一起,運(yùn)輸至電參數(shù)測試場所進(jìn)行電參數(shù)測試。

   第五步:進(jìn)行電參數(shù)測試,測試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。

   第六步:測試完畢后,將器件的引腳短接在一起,運(yùn)輸至輻照地點(diǎn),進(jìn)行50%過輻照追加試驗。

   第七步:輻照結(jié)束,維持輻照偏置條件進(jìn)行ΓA=(100±5)℃168小時退火試驗。

   第八步:高溫退火結(jié)束,進(jìn)行最終點(diǎn)參數(shù)測試,測試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。