混合集成電路D06S60C

   混合集成電路(含多芯片組件)的示意圖如圖⒋105所示。

   混合集成電路的開(kāi)封方式如下:應(yīng)按密封集成電路開(kāi)封方法中的一種適用的程序或其他 適用方法對(duì)器件去除封蓋。

   塑封半導(dǎo)體集成電路

   塑封半導(dǎo)體集成電路的示意圖如圖⒋106所示。

  塑封半導(dǎo)體集成電路的開(kāi)封,即去包封層,應(yīng)順序采用銑削和化學(xué)蝕刻方法,進(jìn)行這些工作應(yīng)做好前期準(zhǔn)備。

   前期工作。

   開(kāi)封前進(jìn)行X射線檢查,以確定芯片形狀、位置和尺寸、鍵合絲的高度等信扈、c這些信扈、有助于選擇將要在塑封表面銑削的溝槽所適用的掩�；驂|圈及銑削的溝槽深度,在進(jìn)行濕法去包封層之前應(yīng)先烘烤樣品,以去除包封層中所有的水汽,以防止酸腐蝕 金屬而產(chǎn)生附加缺陷。