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破壞性引線鍵合強度試驗

發(fā)布時間:2019/5/22 22:25:06 訪問次數(shù):4884

   破壞性引線鍵合強度試驗 QG82915GV

   試驗后對于指定的試驗條件、組成和結構所要求的最小鍵合強度,若施加應力小于表4-16的規(guī)定時出現(xiàn)鍵合點分離則視為失效。其失效分類如下:

  

   (1)內引線鍵合。

   ①在因鍵合工藝而使引線截面減小的位置上引線斷開。

   ②在其他位置上引線斷開。

   ③在引線和芯片金屬化焊點間失效。

   ④在封裝基片和外引線鍵合區(qū)或非芯片位置上的鍵合失效。

   ⑤金屬化層從芯片表面浮起。

   ⑥金屬化層從基片或封裝外引線鍵合區(qū)表面浮起。

   ⑦基片破裂。

   (2)連接印制板或基片的外部鍵合。

   ①在變形處(受鍵合影響的部位)的外引線或引出端斷開。

   ②在未受鍵合影響的外引線或引出端斷開。

   ③在鍵合界面(在已進行了鍵合的外引線、引出端和印制板或封裝基片導體間的低溫焊熔焊交界面)的大效。

   ④金屬化層從印制板或封裝基片上浮起。

   ⑤印制板或基片內部斷裂。

   (3)倒裝焊結構的鍵合。

   ①鍵合材料或基片鍵合區(qū)的失效。

   ②芯片或基片破裂。

   ③金屬化層浮起。

   破壞性引線鍵合強度試驗 QG82915GV

   試驗后對于指定的試驗條件、組成和結構所要求的最小鍵合強度,若施加應力小于表4-16的規(guī)定時出現(xiàn)鍵合點分離則視為失效。其失效分類如下:

  

   (1)內引線鍵合。

   ①在因鍵合工藝而使引線截面減小的位置上引線斷開。

   ②在其他位置上引線斷開。

   ③在引線和芯片金屬化焊點間失效。

   ④在封裝基片和外引線鍵合區(qū)或非芯片位置上的鍵合失效。

   ⑤金屬化層從芯片表面浮起。

   ⑥金屬化層從基片或封裝外引線鍵合區(qū)表面浮起。

   ⑦基片破裂。

   (2)連接印制板或基片的外部鍵合。

   ①在變形處(受鍵合影響的部位)的外引線或引出端斷開。

   ②在未受鍵合影響的外引線或引出端斷開。

   ③在鍵合界面(在已進行了鍵合的外引線、引出端和印制板或封裝基片導體間的低溫焊熔焊交界面)的大效。

   ④金屬化層從印制板或封裝基片上浮起。

   ⑤印制板或基片內部斷裂。

   (3)倒裝焊結構的鍵合。

   ①鍵合材料或基片鍵合區(qū)的失效。

   ②芯片或基片破裂。

   ③金屬化層浮起。

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5-22破壞性引線鍵合強度試驗

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