掃描電子顯微鏡檢查

   當(dāng)一束高能電子轟擊物質(zhì)表面時(shí),被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生工次電子、俄歇電子、背散射G2100-1X1SF1電子、透射電子和特征X射線,以及在可見(jiàn)、紫外、紅外區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。利用高能電子和物質(zhì)的+H△作用,能夠獲取被測(cè)樣罰|本身的各種物埋、化學(xué)性質(zhì)的信啟、。捫描電子顯微鏡1E是根據(jù)高能電子和物質(zhì)相互作用時(shí)不同信息的產(chǎn)生機(jī)理,采用不同的信息檢測(cè)器采集信啟、,得到物質(zhì)的微觀形貌特征及物質(zhì)化學(xué)成分信息。電子顯微鏡可配置各種功能不同的探測(cè)器組件,以滿足特殊的應(yīng)用需求。掃描電子顯微鏡檢查就是基于以上工作原理對(duì)電子元器件芯片表面進(jìn)行檢測(cè)的。

   1.術(shù)語(yǔ)和定義

   l)阻擋/附著金屬層

   阻擋/附著金屬層是指多層金屬化系統(tǒng)中位于下層的金屬層,其作用是提供與硅及二氧化硅表面間的良好(機(jī)械)附著接觸;或作為阻擋層,阻止金屬向某些區(qū)域的不希望的擴(kuò)散,例如,防止鋁向接觸窗口內(nèi)擴(kuò)散。

   2)橫截面

   橫截面是指與電流流動(dòng)方向垂直并擴(kuò)展至金屬條整個(gè)條寬范圍的一個(gè)設(shè)想平面,如圖4-119所示。對(duì)于不平整的表面上與電流方向不垂直的金屬條(如位于鈍化臺(tái)階、跨接區(qū)、鳥(niǎo)嘴等之上),為計(jì)算橫截面積減少的情況,應(yīng)將其投影至橫截平面。

   注1 采用橫截面的概念有雙重目的:為橫截面積的汁算提供一種方便而統(tǒng)一的方法;用于保證不平整表面上的金屬層橫截面積的減少不超過(guò)50%(適用時(shí)為30%)。

   2 橫截面積如圖中虛線所示。

   3 所有不與電流方向垂直的鈍化層臺(tái)階必須投影至勹電流方向垂直的橫截面,計(jì)算橫截面積。

   3)破壞性SEM

   破壞性SEM是指采用了特定的設(shè)備參數(shù)和技術(shù),收范圍的輻射損傷或污染。

    4)方向邊

   使被檢查的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)受到超出可接 典型的方向邊(見(jiàn)圖4-12o)為矩形接觸窗口的幾條邊。在該窗口上淀積有金屬層。器件工作時(shí),電流將流入、穿過(guò)或流出接觸窗口。應(yīng)指出,接觸的幾何形和/或需考慮的位置會(huì)發(fā)生變化。如果這樣的話,應(yīng)相應(yīng)地修正方向邊的概念。