選擇芯片。在評(píng)定晶圓時(shí),對(duì)確定晶圓接收與否的單個(gè)晶圓或?yàn)榇_定晶圓批接收與否而選定的一個(gè)或單(應(yīng)為多)個(gè)晶圓,承制方可按具體情況自行決定選用以下抽樣條件中任何一個(gè)。

   ①象限抽樣。在將晶G6K-2G-Y-TR-DC5圓劃成芯片后(如劃片和扳片、割鋸、腐蝕),且在晶圓上各個(gè)芯片的相對(duì)位置還可辨認(rèn)時(shí),選取四個(gè)芯片。這些芯片位于晶圓上與晶圓中心距離為2閘半徑的位置并相互近似相距⒇°。然后用合適的腐蝕液去掉芯片上玻璃鈍化層,再進(jìn)行SEM檢查。

    ②玻璃鈍化前的弓形抽樣。只有當(dāng)以后的晶圓制造工藝溫度低于450℃(”3K),且互連金屬條的寬度不小于3um時(shí),才能用本取樣方式。如果向鑒定機(jī)構(gòu)提供的相關(guān)性數(shù)據(jù)表明,本程序與采甩常規(guī)腐蝕的程序之間沒(méi)有區(qū)別,并己得到鑒定機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn),本取樣方法也可用于較高溫度或較細(xì)線寬的情況。在金屬化和腐蝕后,而在玻璃鈍化前,從待檢查的每個(gè)晶圓上相對(duì)的兩邊切下兩個(gè)弓形。組成弓形的弦邊應(yīng)位于沿著半徑方向距晶圓邊緣1閘半徑的位置。然后在每個(gè)弓形的弦邊上距兩端約1,5cm處各取一個(gè)芯片(共有4個(gè)芯片)進(jìn)行SEM檢查。

    ③玻璃鈍化后的弓形抽樣。在完成所用工藝步驟后,在劃片前,從每個(gè)晶圓上相對(duì)兩邊各切下一個(gè)弓形。組成弓形的“弦”應(yīng)位于沿著半徑方向距晶圓邊緣約1閘半徑的位置。然后采用合適的腐蝕液去掉鈍化層,在每個(gè)弓形的弦邊上距兩端約1,5cm處各取一個(gè)芯片(共4個(gè)芯片)作SEM檢查。

   ④玻璃鈍化前的晶圓抽樣。只有當(dāng)以后的晶圓制造工藝溫度低于450℃(”3K),且互連金屬條的寬度不小于3um時(shí),才能用本取樣方式。如果向鑒定機(jī)構(gòu)提供的相關(guān)性數(shù)據(jù)表明,本程序與采用常規(guī)腐蝕的程序之間沒(méi)有區(qū)別,并己得到鑒定機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn),本取樣方法也可用于較高溫度或較細(xì)線寬的情況。在完成了金屬化、腐蝕工藝和樣片準(zhǔn)各操作后將整個(gè)晶圓置于SEM設(shè)備中,對(duì)晶圓上距晶圓中心約刃3半徑處,且相互間近似相隔⒇°的4個(gè)芯片進(jìn)行檢查。受檢查的晶圓上的芯片或與其相鄰的芯片不得作為正規(guī)產(chǎn)品發(fā)貨,除非業(yè)已表明所進(jìn)行的檢查是非破壞性的。

    ⑤玻璃鈍化后的晶圓抽樣。本抽樣方式是破壞性的。對(duì)完成芯片工藝的晶圓做樣品準(zhǔn)備后將晶圓置于SEM設(shè)備中。對(duì)晶圓上與晶圓中心相距約刃3半徑且相互之間近似相隔⒇°的4個(gè)芯片進(jìn)行檢查。