空間單粒子效應(yīng)通常采用地面高能粒子加速器進(jìn)行地面模擬實(shí)驗(yàn),隨著器件敏感性增加且封裝形式越來(lái)越復(fù)雜,需要采用高能重離子和質(zhì)子進(jìn)行輻照試驗(yàn)。未來(lái)可利用高能重離子,進(jìn)行能量衰減獲得不同LET值的粒子,可以快速評(píng)估獲得器件的全截面曲線。此外,對(duì)于疊層封裝器件,需要采用更高穿透深度的質(zhì)子進(jìn)行地面輻照試驗(yàn)評(píng)估。

  GD25Q16BSIG

   空間電離總劑量效應(yīng)通常采用地面鈷源進(jìn)行輻照試驗(yàn)評(píng)估,為了更好地模擬空間效應(yīng),可采用電子加速器進(jìn)行輻照。對(duì)于位移損傷效應(yīng)評(píng)估,目前基于反應(yīng)堆中子進(jìn)行輻照試驗(yàn),獲得等效lM cV中子注量的指標(biāo),由于空間環(huán)境位移損傷效應(yīng)主要由質(zhì)子引起,可采用質(zhì)子進(jìn)行更好的模擬試驗(yàn)評(píng)估。此外,由于空間環(huán)境是一個(gè)綜合的復(fù)雜環(huán)境,不同效應(yīng)之間存在協(xié)同效應(yīng),為了更真實(shí)地模擬空問(wèn)綜合環(huán)境對(duì)電子器件的影響,未來(lái)也可能采用混合輻照的方法,更真實(shí)模擬空間效應(yīng)的影響。