鋰原電池均存在安全性差，有發(fā)生爆炸的危險(xiǎn)。

鈷酸鋰的鋰離子電池不能大電流放電，價(jià)格昂貴，安全性較差。

鋰離子電池均需保護(hù)線路，防止電池被過(guò)充過(guò)放電。

生產(chǎn)要求條件高，成本高。

使用條件有限制，高低溫使用危險(xiǎn)大。

交通動(dòng)力電源

電力儲(chǔ)能電源

移動(dòng)通信電源

新能源儲(chǔ)能動(dòng)力電

航天軍工電源

磷酸鐵鋰電池、鋰電池區(qū)別

磷酸鐵鋰電池和鋰電池是不一樣的。

磷酸鐵鋰電池是用來(lái)做鋰離子二次電池的，現(xiàn)在主要方向是動(dòng)力電池，相對(duì)NI-H，Ni-Cd電池有很大優(yōu)勢(shì)。

鋰電池是一類由鋰金屬或鋰合金為正極材料、使用非水電解質(zhì)溶液的電池。鋰金屬的化學(xué)特性非�；顫�，使得鋰金屬的加工、保存、使用，對(duì)環(huán)境要求非常高。

磷酸鐵鋰穿刺不起火不爆炸，鋰電池會(huì)。

磷酸鐵鋰耐過(guò)充到100%都不會(huì)起火爆炸;鋰電池達(dá)到規(guī)定數(shù)值就會(huì)析氣鼓脹。

在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，能實(shí)現(xiàn)功能的方案可能有很多、芯片也有很多選擇，主要從功能需求、物料成本、供應(yīng)商關(guān)系、供應(yīng)周期等一系列因素去綜合考慮。題目是想用單片機(jī)來(lái)設(shè)計(jì)電壓檢測(cè)系統(tǒng)，單純的從這一個(gè)單一的需求考慮，不會(huì)對(duì)單片機(jī)的選型造成困擾，因?yàn)閱纹瑱C(jī)都能實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。

電壓檢測(cè)電路，從簡(jiǎn)單了講就是通過(guò)多個(gè)電阻串聯(lián)分壓，用單片機(jī)采集精密電阻兩端的電壓然后根據(jù)比例關(guān)系計(jì)算所要采集的電壓。只要單片機(jī)具有AD采樣端口，那么這個(gè)功能都是可以實(shí)現(xiàn)。早期的51單片機(jī)沒(méi)有AD功能，需要外掛一顆AD采樣芯片。但是現(xiàn)在的51單片機(jī)也是具有AD采樣功能的。所以，STM32和51單片機(jī)都能實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。

PIC單片機(jī)IO口的結(jié)構(gòu)也比較復(fù)雜，每個(gè)IO由兩個(gè)寄存器組成：IO口數(shù)據(jù)寄存器PORTx、和IO口方向寄存器TRISx。操作起來(lái)比AVR單片機(jī)簡(jiǎn)單一些，同樣需要設(shè)置IO的方向，可以進(jìn)行總線操作也可以進(jìn)行位操作。下例的運(yùn)行壞境為MPLAB IDE軟件，器件為PIC16F877。

#i nclude

__CONFIG(0x3B32);

int main(void)

unsigned char pv;

//總線操作輸出數(shù)據(jù)，以B口為例：

TRISB=0x00;//先設(shè)置B口的方向?yàn)檩敵龇绞?相應(yīng)位設(shè)0為輸出，設(shè)1為輸入)

PORTB=0xaa;//賦值，B口輸出數(shù)據(jù)0xaa

//總線操作讀取數(shù)據(jù)，以B口為例：

TRISB=0xff;//先設(shè)置B口的方向?yàn)檩斎敕绞?相應(yīng)位設(shè)0為輸出，設(shè)1為輸入)

pv=PORTB;//讀取B口的數(shù)據(jù)放到pv變量

//位操作，以B口的第0位為例：

TRISB=0xfe;//先設(shè)置B口的第0位(RB0)的方向?yàn)檩敵龇绞?相應(yīng)位設(shè)0為輸出，設(shè)1為輸入)

RB0=1;//B口的第0位輸出高電平

RB0=0;//B口的第0位輸出低電平

return 0;

經(jīng)過(guò)比較這三種單片機(jī)IO口的操作，我們知道，51單片機(jī)IO口結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)單，但沒(méi)有高電平大電流驅(qū)動(dòng)能力;AVR和PIC單片機(jī)IO 口結(jié)構(gòu)復(fù)雜，操作麻煩，但具備高電平大電流驅(qū)動(dòng)能力。換句話說(shuō)，單片機(jī)的IO口的功能越強(qiáng)大結(jié)構(gòu)越復(fù)雜操作越繁瑣。

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