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內(nèi)置的32位數(shù)控振蕩器數(shù)字上變頻

發(fā)布時(shí)間:2020/11/30 12:57:41 訪問次數(shù):602

Volta 180 探針頭,信息時(shí)代的迅猛發(fā)展催生了對(duì)消費(fèi)和商業(yè)電子產(chǎn)品巨大的需求。如何在有限的應(yīng)用空間增加更多的功能并兼具成本效益,這一需求促進(jìn)了晶圓級(jí)封裝和已知良好芯片測試的巨大增長。 Volta 產(chǎn)品系列是史密斯英特康增強(qiáng)的解決方案,可以對(duì)最小引腳間距180um 的晶圓尺寸封裝及晶圓級(jí)封裝進(jìn)行快速而可靠的測試,以確保它們符合規(guī)格并滿足終端產(chǎn)品應(yīng)用性能。

全新的Volta180系列引腳最小間距(PITCH)降至180um,是增強(qiáng)的晶圓級(jí)別測試解決方案,具備如下性能優(yōu)勢:Volta 180可以滿足在750,000次壽命測試下仍保持低且穩(wěn)定的電阻,從而提供高精度的測量。 卓越的針頭共面性可滿足64 個(gè)工位,5000根探針同時(shí)進(jìn)行測試,以提高生產(chǎn)效率 模組化的針頭設(shè)計(jì)能確保維護(hù)時(shí)可進(jìn)行快速更換,停機(jī)時(shí)間幾乎為零。

英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同類領(lǐng)先的功率 MOSFET,實(shí)現(xiàn)最高功率密度和能效的解決方案。超低的柵極和輸出電荷、加上最低的導(dǎo)通電阻和小尺寸封裝,使 英飛凌 N 溝道 OptiMOS 功率 MOSFET 成為滿足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信應(yīng)用穩(wěn)壓器解決方案嚴(yán)苛要求的理想選擇。超快開關(guān)控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于設(shè)計(jì)導(dǎo)入(design in)的解決方案。 英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供優(yōu)秀的柵極電荷,最適合直流-直流轉(zhuǎn)換。

Teledyne e2v通過最新的性能重新定義數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),向信號(hào)鏈重大改革的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。

它與其他DAC的區(qū)別在于,它是市場上第一個(gè)可支持Ka頻段(26GHz以上)操作的產(chǎn)品。也集成了許多復(fù)雜的功能,如直接數(shù)字合成(DDS),加上通過一個(gè)內(nèi)置的32位數(shù)控振蕩器(NCO)實(shí)現(xiàn)數(shù)字上變頻(DUC)。這有助于提高吞吐量,而不會(huì)對(duì)IC的資源造成過度壓力。

歸功于EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器,Teledyne e2v可以讓工程師創(chuàng)建具有更強(qiáng)的下一代通用性射頻系統(tǒng)。這意味著帶有先進(jìn)數(shù)字功能如快速跳頻(FFH)和波束形成等的射頻系統(tǒng)將得以實(shí)現(xiàn)。該基于軟件的方法將會(huì)實(shí)現(xiàn)通過設(shè)定數(shù)模轉(zhuǎn)換器,直接在代碼中執(zhí)行配置,而不必因?yàn)楦挠布䦷聿槐愫唾M(fèi)用。目標(biāo)應(yīng)用將包括雷達(dá)、衛(wèi)星通信、地面網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Volta 180 探針頭,信息時(shí)代的迅猛發(fā)展催生了對(duì)消費(fèi)和商業(yè)電子產(chǎn)品巨大的需求。如何在有限的應(yīng)用空間增加更多的功能并兼具成本效益,這一需求促進(jìn)了晶圓級(jí)封裝和已知良好芯片測試的巨大增長。 Volta 產(chǎn)品系列是史密斯英特康增強(qiáng)的解決方案,可以對(duì)最小引腳間距180um 的晶圓尺寸封裝及晶圓級(jí)封裝進(jìn)行快速而可靠的測試,以確保它們符合規(guī)格并滿足終端產(chǎn)品應(yīng)用性能。

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它與其他DAC的區(qū)別在于,它是市場上第一個(gè)可支持Ka頻段(26GHz以上)操作的產(chǎn)品。也集成了許多復(fù)雜的功能,如直接數(shù)字合成(DDS),加上通過一個(gè)內(nèi)置的32位數(shù)控振蕩器(NCO)實(shí)現(xiàn)數(shù)字上變頻(DUC)。這有助于提高吞吐量,而不會(huì)對(duì)IC的資源造成過度壓力。

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