雜散電感和電磁干擾輻射2.5kV的高壓
發(fā)布時(shí)間:2020/11/30 23:15:08 訪問(wèn)次數(shù):666
IGBT模塊采用ACEPACK 1或尺寸更大的ACEPACK 2封裝,內(nèi)置650V或1200V IGBT,額定電流15 A至75 A,降低了雜散電感和電磁干擾 (EMI) 輻射,更容易達(dá)到電磁兼容性 (EMC) 法規(guī)的要求。這些模塊的最高額定工作溫度為175°C,確保在惡劣工況下也有穩(wěn)健的性能表現(xiàn),從而讓設(shè)計(jì)師可以自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散。封裝基板可以隔離2.5kV的高壓,讓模塊的設(shè)計(jì)更加輕松。
ST的ACEPACK IGBT模塊提供各種安裝配置,包括可以取代傳統(tǒng)焊接引腳的可選型無(wú)焊壓入式連接和金屬螺絲夾,簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程,可實(shí)現(xiàn)快速、可靠的安裝。ACEPACK模塊是工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、空調(diào)、逆變器、太陽(yáng)能電池板和發(fā)電機(jī)、焊接設(shè)備、電池充電器、不間斷電源 (UPS) 和電動(dòng)汽車(chē)的理想解決方案。

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: NXP
產(chǎn)品種類(lèi): ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細(xì)信息
封裝: Tray
商標(biāo): NXP Semiconductors
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類(lèi)型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數(shù)量: 180
子類(lèi)別: Microcontrollers - MCU
零件號(hào)別名: 935291861557

在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級(jí)的可靠性
通過(guò)采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對(duì)策,并引進(jìn)新工藝方法,使新模塊通過(guò)了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn),從而使1700V耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場(chǎng)。
比如在高溫高濕反偏試驗(yàn)中,比較對(duì)象IGBT模塊在1,000小時(shí)以?xún)?nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿,而B(niǎo)SM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下,即使施加1360V達(dá)1,000小時(shí)以上,仍然無(wú)故障,表現(xiàn)出極高的可靠性。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
IGBT模塊采用ACEPACK 1或尺寸更大的ACEPACK 2封裝,內(nèi)置650V或1200V IGBT,額定電流15 A至75 A,降低了雜散電感和電磁干擾 (EMI) 輻射,更容易達(dá)到電磁兼容性 (EMC) 法規(guī)的要求。這些模塊的最高額定工作溫度為175°C,確保在惡劣工況下也有穩(wěn)健的性能表現(xiàn),從而讓設(shè)計(jì)師可以自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散。封裝基板可以隔離2.5kV的高壓,讓模塊的設(shè)計(jì)更加輕松。
ST的ACEPACK IGBT模塊提供各種安裝配置,包括可以取代傳統(tǒng)焊接引腳的可選型無(wú)焊壓入式連接和金屬螺絲夾,簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程,可實(shí)現(xiàn)快速、可靠的安裝。ACEPACK模塊是工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、空調(diào)、逆變器、太陽(yáng)能電池板和發(fā)電機(jī)、焊接設(shè)備、電池充電器、不間斷電源 (UPS) 和電動(dòng)汽車(chē)的理想解決方案。

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: NXP
產(chǎn)品種類(lèi): ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細(xì)信息
封裝: Tray
商標(biāo): NXP Semiconductors
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類(lèi)型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數(shù)量: 180
子類(lèi)別: Microcontrollers - MCU
零件號(hào)別名: 935291861557

在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級(jí)的可靠性
通過(guò)采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對(duì)策,并引進(jìn)新工藝方法,使新模塊通過(guò)了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn),從而使1700V耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場(chǎng)。
比如在高溫高濕反偏試驗(yàn)中,比較對(duì)象IGBT模塊在1,000小時(shí)以?xún)?nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿,而B(niǎo)SM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下,即使施加1360V達(dá)1,000小時(shí)以上,仍然無(wú)故障,表現(xiàn)出極高的可靠性。
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