高通旗艦層級(jí)5G移動(dòng)平臺(tái)驍龍888，其性能提升幅度大，堪稱強(qiáng)悍的性能怪獸。作為驍龍865的迭代產(chǎn)品，驍龍888猶如平地一聲驚雷，振奮了整個(gè)科技圈，也振奮了整個(gè)手機(jī)行業(yè)。

高通驍龍888移動(dòng)平臺(tái)，作為目前最頂級(jí)的旗艦芯片，憑借其獨(dú)步天下的強(qiáng)悍性能優(yōu)勢(shì)，成為各大手機(jī)廠商打好翻身仗的最佳選擇。

高通驍龍888相比上一代高通驍龍865，無論是從工藝、架構(gòu)、能效，還是連接性等各方面都有超出預(yù)期的提升。驍龍888的制程工藝采用了最先進(jìn)的5納米工藝制程，進(jìn)一步縮小了晶體管整體體積，減少產(chǎn)品功耗率并提供突破性的性能。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

通道數(shù)量: 2 Channel

電源電壓-最大: 16 V

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 200 kHz

每個(gè)通道的輸出電流: 50 mA

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 0.12 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 1.5 mV

電源電壓-最小: 4.4 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 60 pA

工作電源電流: 35 uA

關(guān)閉: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 83 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 36 nV/sqrt Hz

系列: TLC2252

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Micropower Amplifier

特點(diǎn): High Cload Drive

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

技術(shù): LinCMOS

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Texas Instruments

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V

In—輸入噪聲電流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 8 V

最小雙重電源電壓: +/- 2.2 V

工作電源電壓: 4.4 V to 16 V, +/- 2.2 V to +/- 8 V

Pd-功率耗散: 525 mW

產(chǎn)品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Amplifier ICs

商標(biāo)名: LinCMOS

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1 V

電壓增益 dB: 124.61 dB

單位重量: 39 mg

電源模塊已經(jīng)支持輸入電壓為36V時(shí)，輸出3.3或5V的固定輸出電壓，接下來，伍爾特電子將會(huì)推出最大輸入電壓分別為28V和42V的版本。采用的SIP-3封裝，是具有成本效益的解決方案，可以滿足24V工業(yè)電壓網(wǎng)絡(luò)瞬態(tài)性能的要求。新模塊的工作電壓為6至36V VIN，并可在高達(dá)1A的電流下產(chǎn)生3.3或5V的固定輸出電壓。

模塊的輻射干擾和線路干擾均符合EN55032/CISPR32 B類EMC標(biāo)準(zhǔn)。這些數(shù)值是在17800FDSM EVAL板上，與經(jīng)過驗(yàn)證的濾波器組合后測(cè)量得到的。該模塊與電源模塊一樣。

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