內(nèi)存不但要每64ms刷新一次，每次讀操作之后也要刷新一次。這樣就增加了存取操作的周期，當(dāng)然潛伏期也就越長。 SRAM，靜態(tài)(Static)RAM不存在刷新的問題，一個SRAM基本單元包括4個晶體管和2個電阻。

SRAM不但可以運(yùn)行在比DRAM高的時鐘頻率上，而且潛伏期比DRAM短的多。SRAM僅僅需要2到3個時鐘周期就能從CPU緩存調(diào)入需要的數(shù)據(jù)，而DRAM卻需要3到9個時鐘周期(這里我們忽略了信號在CPU、芯片組和內(nèi)存控制電路之間傳輸?shù)臅r間)。

制造商:Apem產(chǎn)品種類:開關(guān)觸點(diǎn)塊/開關(guān)套件發(fā)貨限制：Mouser目前不銷售該產(chǎn)品。RoHS:是產(chǎn)品:Contact Blocks類型:SPST用于:Pushbutton Switches設(shè)計目的:A1, A01, A02, A03 Series安裝風(fēng)格:Panel端接類型:Solder特點(diǎn):Various colored mushroom actuators are available照明:Illuminated系列:A01商標(biāo):Apem產(chǎn)品類型:Switch Contact Blocks / Switch Kits工廠包裝數(shù)量:5子類別:Switch Accessories

PWM周期內(nèi)需要余留足夠的時間，以供每個節(jié)點(diǎn)使用新位置基準(zhǔn)和任何新傳感器數(shù)據(jù)來更新伺服控制算法計算。各個節(jié)點(diǎn)通過依賴于工業(yè)以太網(wǎng)協(xié)議的分布式時鐘機(jī)制，在同一時間點(diǎn)將更新后的PWM矢量應(yīng)用于伺服驅(qū)動器。

根據(jù)具體的控制架構(gòu)，部分控制回路算法可以在PLC中實(shí)現(xiàn)，如果在網(wǎng)絡(luò)上接收到任何相關(guān)傳感器信息更新后，需要足夠的時間才能實(shí)現(xiàn),PWM周期和網(wǎng)絡(luò)傳輸時間。

數(shù)據(jù)傳輸延遲假設(shè)網(wǎng)絡(luò)上唯一的流量是機(jī)床控制器和伺服節(jié)點(diǎn)之間的周期性數(shù)據(jù)流，網(wǎng)絡(luò)延遲(TNW)由網(wǎng)絡(luò)跳轉(zhuǎn)到最遠(yuǎn)節(jié)點(diǎn)的次數(shù)、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和每個節(jié)點(diǎn)遭受的延遲決定。

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轉(zhuǎn)而使用千兆以太網(wǎng)可以大幅降低帶寬延遲造成的影響，但是會增加開關(guān)和PHY組件導(dǎo)致的總體延遲的比例。例如，采用千兆網(wǎng)絡(luò)的12軸CNC機(jī)床的網(wǎng)絡(luò)傳輸延遲約為7.5 μs。在這種情況下，帶寬元素可以忽略不計，使用最小或最大以太網(wǎng)幀尺寸不會造成任何差別。網(wǎng)絡(luò)延遲大致可以由PHY和開關(guān)均分，隨著工業(yè)系統(tǒng)轉(zhuǎn)而采用千兆網(wǎng)速、控制周期時間縮短(EtherCAT® 顯示的周期時間為12.5 μs）、因?yàn)樵诳刂凭W(wǎng)絡(luò)中增加以太網(wǎng)連接的傳感器而導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)數(shù)增加，以及網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洳粩嘹呌诒馄�，凸顯了最小化這些元素的延遲的價值。

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