在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼（ECC），全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫(xiě)的高效機(jī)制。

BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。

本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號(hào)也使用了ODT。

制造商:Xilinx 產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Spartan-3 系列:XC3S400 邏輯元件數(shù)量:8064 LE 輸入/輸出端數(shù)量:173 I/O 工作電源電壓:1.2 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 100 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 商標(biāo):Xilinx 柵極數(shù)量:400000 分布式RAM:56 kbit 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:288 kbit 最大工作頻率:280 MHz 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數(shù)量:90 子類別:Programmable Logic ICs 商標(biāo)名:Spartan 單位重量:32.559 g

電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®。

基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。