RK2108D具備高速M(fèi)IPI顯示接口支持硬件圖層疊加
發(fā)布時(shí)間:2021/4/20 8:26:02 訪問次數(shù):1128
RK2108D采用HiFi3 DSP＋ ARM M4F雙核架構(gòu)，基于高性能DSP，RK2108D具備2D 渲染算子加速能力；經(jīng)實(shí)測(cè)，當(dāng)手表秒針旋轉(zhuǎn)1格，其他Arm渲染方案通常需要需要約10ms，RK2108D渲染時(shí)間僅約1ms，大幅提升產(chǎn)品各項(xiàng)功能的響應(yīng)速度。
RK2108D具備高速M(fèi)IPI顯示接口，支持硬件圖層疊加，支持最高每秒60FPS刷屏幀率，其他大部分方案僅支持30FPS。
在滑動(dòng)表盤或進(jìn)行其他操控動(dòng)作時(shí)，基于RK2108D方案的產(chǎn)品觸控手感更靈敏，不卡頓。
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
FET 功能
邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源電壓（Vdss）
25V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A，30A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
3.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1600pF @ 12V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
PG-TISON-8
基本產(chǎn)品編號(hào)
BSC0911
這種組合提供額外的可靠保護(hù)，即使在異常過壓條件或壓敏電阻使用壽命終止的極端情況下，也可以防止災(zāi)難性故障和火災(zāi)隱患。
LST壓敏電阻系列它專為下列市場(chǎng)和應(yīng)用中采用的1型和2型浪涌保護(hù)器件（SPD）而設(shè)計(jì)，包括：
住宅、商業(yè)和工業(yè)建筑不間斷電源設(shè)備（UPS）
工業(yè)電機(jī)控制
可再生能源
HVAC系統(tǒng)
RK2108D采用HiFi3 DSP＋ ARM M4F雙核架構(gòu)，基于高性能DSP，RK2108D具備2D 渲染算子加速能力；經(jīng)實(shí)測(cè)，當(dāng)手表秒針旋轉(zhuǎn)1格，其他Arm渲染方案通常需要需要約10ms，RK2108D渲染時(shí)間僅約1ms，大幅提升產(chǎn)品各項(xiàng)功能的響應(yīng)速度。
RK2108D具備高速M(fèi)IPI顯示接口，支持硬件圖層疊加，支持最高每秒60FPS刷屏幀率，其他大部分方案僅支持30FPS。
在滑動(dòng)表盤或進(jìn)行其他操控動(dòng)作時(shí)，基于RK2108D方案的產(chǎn)品觸控手感更靈敏，不卡頓。
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25V
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18A，30A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
3.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1600pF @ 12V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
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供應(yīng)商器件封裝
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BSC0911
這種組合提供額外的可靠保護(hù)，即使在異常過壓條件或壓敏電阻使用壽命終止的極端情況下，也可以防止災(zāi)難性故障和火災(zāi)隱患。
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