電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器電壓為4800V
發(fā)布時(shí)間:2021/4/23 21:35:52 訪問(wèn)次數(shù):868
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.
市場(chǎng)對(duì)逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴(yán)格,其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關(guān)操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機(jī)械兼容性,以及長(zhǎng)使用壽命。
意法半導(dǎo)體還提供了EVALSTPM-3PHISO,一個(gè)專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設(shè)計(jì)。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM),STISO621電流隔離功能不隨時(shí)間變化,在任何系統(tǒng)故障期間,保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選,STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝,VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝,VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.
市場(chǎng)對(duì)逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴(yán)格,其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關(guān)操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機(jī)械兼容性,以及長(zhǎng)使用壽命。
意法半導(dǎo)體還提供了EVALSTPM-3PHISO,一個(gè)專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設(shè)計(jì)。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM),STISO621電流隔離功能不隨時(shí)間變化,在任何系統(tǒng)故障期間,保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選,STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝,VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝,VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
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