電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅(qū)動器電壓為4800V
發(fā)布時間:2021/4/23 21:35:52 訪問次數(shù):866
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅(qū)動器,驅(qū)動電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發(fā)生.
市場對逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴格，其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關(guān)操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機械兼容性，以及長使用壽命。
意法半導(dǎo)體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設(shè)計。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統(tǒng)故障期間，保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅(qū)動器,驅(qū)動電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發(fā)生.
市場對逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴格，其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關(guān)操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機械兼容性，以及長使用壽命。
意法半導(dǎo)體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設(shè)計。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統(tǒng)故障期間，保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 7-22AI加速器（NPU）圖像處理（ISP）優(yōu)勢特征
- 7-22智能電池壽命增強器IC應(yīng)用解釋
- 7-22 SUSE Enterprise Linux工作原理
- 7-22微軟Azure Marketplace應(yīng)用探究
- 7-22驅(qū)動程序CUDAKMD和CUDAUMD解讀
- 7-22NV-RISCV64（RV64I-MSU指令集）詳解
- 7-21EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用分析
- 7-21STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景
- 7-21集成半橋 MOSFET 驅(qū)動器應(yīng)用詳解
- 7-21全新AI操作系統(tǒng)One UI 7系列
- 7-21全新空間音頻標準—Eclipsa Audio
- 7-21RISC-V MCU+接口技術(shù)探究
公網(wǎng)安備44030402000607
