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dual-bank閃存功能支持后臺運(yùn)行和閃存塊交換(SWAP)

發(fā)布時間:2021/4/24 0:12:04 訪問次數(shù):1131

InWheelSense基于壓電的能量收集和傳感模塊是強(qiáng)大可靠的動力來源以及輪胎和駕駛條件的高動態(tài)范圍傳感設(shè)備,提高了智能移動車輛的安全性。

這些非感知傳感器能夠與連接的交通基礎(chǔ)設(shè)施(如智能橋梁、交通管控和標(biāo)牌)一起工作,傳輸實(shí)時數(shù)據(jù),并支持車輛與行人網(wǎng)絡(luò)、車輛與基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)、車輛與車輛網(wǎng)絡(luò)。

InWheelSense還提供了一個評估套件,專門對作為樣本連接到現(xiàn)有車輪上的能量收集模塊進(jìn)行簡單評估。該套件可以無線收集設(shè)備輸出的數(shù)據(jù),在不需要其他設(shè)備情況下進(jìn)行發(fā)電。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

下降時間: 4.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 7.2 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

零件號別名: SP000819818 BSC91NSIXT BSC0901NSIATMA1

單位重量: 118.400

RX65N具備dual-bank閃存功能,支持后臺運(yùn)行和閃存塊交換(SWAP),可在系統(tǒng)控制或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中進(jìn)行安全、高度可靠的固件更新,防止程序被篡改。

鑒于RX65N已通過CMVP 3級認(rèn)證,由此具有相同TSIP模塊的其它RXMCU產(chǎn)品,如RX651、RX66N、RX72N,和RX72M亦可實(shí)現(xiàn)等效安全功能。

瑞薩還提供集成了RX65N和瑞薩多種傳感器的“安全云和傳感器解決方案”,使用戶可以安全、便捷地將傳感器數(shù)據(jù)上傳至云。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

InWheelSense基于壓電的能量收集和傳感模塊是強(qiáng)大可靠的動力來源以及輪胎和駕駛條件的高動態(tài)范圍傳感設(shè)備,提高了智能移動車輛的安全性。

這些非感知傳感器能夠與連接的交通基礎(chǔ)設(shè)施(如智能橋梁、交通管控和標(biāo)牌)一起工作,傳輸實(shí)時數(shù)據(jù),并支持車輛與行人網(wǎng)絡(luò)、車輛與基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)、車輛與車輛網(wǎng)絡(luò)。

InWheelSense還提供了一個評估套件,專門對作為樣本連接到現(xiàn)有車輪上的能量收集模塊進(jìn)行簡單評估。該套件可以無線收集設(shè)備輸出的數(shù)據(jù),在不需要其他設(shè)備情況下進(jìn)行發(fā)電。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

下降時間: 4.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 7.2 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

零件號別名: SP000819818 BSC91NSIXT BSC0901NSIATMA1

單位重量: 118.400

RX65N具備dual-bank閃存功能,支持后臺運(yùn)行和閃存塊交換(SWAP),可在系統(tǒng)控制或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中進(jìn)行安全、高度可靠的固件更新,防止程序被篡改。

鑒于RX65N已通過CMVP 3級認(rèn)證,由此具有相同TSIP模塊的其它RXMCU產(chǎn)品,如RX651、RX66N、RX72N,和RX72M亦可實(shí)現(xiàn)等效安全功能。

瑞薩還提供集成了RX65N和瑞薩多種傳感器的“安全云和傳感器解決方案”,使用戶可以安全、便捷地將傳感器數(shù)據(jù)上傳至云。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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