離線CV/CC QR反饋開關(guān)集成電路,集成了初級開關(guān),同步整流和FluxLink反饋.

器件集成了多種保護特性包括線路過壓和欠壓保護,輸出過壓和過流限制,以及超溫關(guān)斷,從而大大地簡化了反激功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造,特別是那些需要高效率和緊湊尺寸的電源.

器件在整個負載范圍內(nèi)具有非常高的效率,極好的CV/CC精確度,并和外接元件無關(guān).

采用外接輸出檢測電阻可調(diào)整精確的輸出電流,其PowiGaN™技術(shù)在沒有散熱器的情況下功率高達100W (INN3678C,INN3679C和 INN3670C).

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制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類:    MOSFET

RoHS:    詳細信息

技術(shù):    Si

安裝風格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TDSON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V

Id-連續(xù)漏極電流:    39 A

Rds On-漏源導通電阻:    10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1 V

Qg-柵極電荷:    20 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    28 W

通道模式:    Enhancement

商標名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

長度:   5.9 mm

系列:   OptiMOS 3M

晶體管類型:   1 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標:   Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:   25 S

下降時間:   5 ns

產(chǎn)品類型:   MOSFET

上升時間:   4.4 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類別:   MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:   7 ns

典型接通延遲時間:   7.9 ns

零件號別名:  BSC120N03MS G SP000311516

單位重量:  605 mg

IUT-F190-B40的兩個集成的輸入接口可用于連接光柵，而無需額外的IO組件，以便根據(jù)需要啟動和停止讀取過程，或是檢測通過方向。

通過輸出端的信號燈可以顯示操作準備就緒或讀取成功的狀態(tài)。自動化是我們的世界。完美的解決方案是我們的目標。

憑借著創(chuàng)業(yè)的勇氣，無畏的開拓精神及執(zhí)著的創(chuàng)新理念，Walter Pepperl與Ludwig Fuchs這兩位倍加福的奠基人于1945年在曼海姆共同創(chuàng)辦了一家無線電修理廠。

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