檢驗(yàn)工作的第一步是把系統(tǒng)各工作狀態(tài)下(一般取空載、額定負(fù)載、1.5倍額定負(fù)載和2倍額定負(fù)載)所要求的勵(lì)磁電流馬,5N、2N(直流)折合到副勵(lì)磁機(jī)的電樞側(cè)。第二步由副勵(lì)磁機(jī)的外特性,求出其在上述各種狀態(tài)下的端電壓。第三步再將副勵(lì)磁機(jī)的端電壓折算到勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁繞組的電源電壓E為0、E為N、E燦5N、EJI2N。最后,求出上述各種工作狀態(tài)下的導(dǎo)通比,即:σ0=△oiR

這主要是由于UWB定位系統(tǒng)提供的定位精準(zhǔn)度，一般來說，UWB室內(nèi)地位系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)精準(zhǔn)定位到30公分或者更小的范圍內(nèi)。

但對(duì)于汽車類芯片和元器件，其工作溫度范圍要求比較寬，根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于一般民用產(chǎn)品的要求，比如發(fā)動(dòng)機(jī)艙要求-40～150℃，車身控制要求-40～125℃。

MTP存儲(chǔ)器作為NVM的一種， 其可靠性驗(yàn)證流程,完整的可靠性驗(yàn)證包括高溫工作壽命(HTOL)測試、高溫?cái)?shù)據(jù)保持(HTDR)能力和常溫?cái)?shù)據(jù)保持(LTDR)能力測試，而HTDR能力測試最能反映器件的非易失性，因此重點(diǎn)對(duì)MTP存儲(chǔ)器的HTDR能力測試進(jìn)行試驗(yàn)設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。

對(duì)于用戶來說，數(shù)據(jù)流量翻倍，每GB單價(jià)下降約40%；對(duì)于運(yùn)營商來說，ARPU提升20%，每GB成本下降約80%。

溫度偏差△UT是由于調(diào)壓器中元、器仵參數(shù)及其特性隨溫度的改變而改變,使調(diào)壓器特性變化而造成的偏差。使用偏差△Uc是由于調(diào)壓器中各元器件參數(shù)及其特性的分散性和不穩(wěn)定性造成的偏差,工程上可采取篩選和老化的措施來盡量減小該項(xiàng)偏差。

使用偏差很難計(jì)算,設(shè)計(jì)時(shí),一般考慮在安全系數(shù)中。

飛機(jī)發(fā)電機(jī)調(diào)壓器工作環(huán)境溫度變化范圍可達(dá)115℃(-55℃~+60℃),所以,溫度偏差△UT在調(diào)壓系統(tǒng)總偏差△LI中占主要地位。