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不同垂直領(lǐng)域中Bow性能表現(xiàn)對其勵磁回路的影響

發(fā)布時間:2022/3/4 13:10:31 訪問次數(shù):833

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢用于1節(jié)至4節(jié)串聯(lián)電池組的升降壓充電器4V至22V輸入電壓(VIN)范圍可耐受電壓高達26V使用外部MOSFET .

可提供高達28V的可耐受電壓在降壓和升壓操作之間實現(xiàn)無縫、平穩(wěn)轉(zhuǎn)換可配置最大輸入電流限值(IIN_LIMIT)和最小輸入電壓限值 (VIN_LIMIT) 

可配置充電電流高達6A每節(jié)電池高達4.67V的可配置電池電壓范圍,精度為0.5%輸出兼容 USB PD 3.0源模式可配置3V至21V輸出電壓(VOUT),步進值為20mV高達6A的輸出電流(IOUT),步進值為 50mA500kHz至1.2MHz.

不過,AI芯片的真實性能還需要放在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中討論。為此,Graphcore也給出了在不同垂直領(lǐng)域中Bow的性能表現(xiàn)。

第三代IPU相對于上一代M2000,性能提高40%,每瓦性能提升16%,即能耗比實現(xiàn)16%的提升。

在圖像方面,無論是典型的CNN網(wǎng)絡(luò),還是近期比較熱門的Vision Transformer網(wǎng)絡(luò),以及深層次的文本到圖片的網(wǎng)絡(luò),與上一代產(chǎn)品相比,Bow IPU都有30%到40%的性能提升,在EfficientNet-B4這一項中,接近理論上限值。


氣源系統(tǒng)布局圖于控制壓氣機軸和盤的溫度,既可以對其冷卻,也可以為它們加熱。

典型的冷卻和封嚴空氣流,與一般由直流電源提供勵磁的同步發(fā)電機相比,無刷交流發(fā)電機的工作情況稍有不同,其勵磁電流是由交流勵磁發(fā)電機經(jīng)整流后提供的,在套用一般同步發(fā)電機的傳遞函數(shù)時,要考慮這一特點對其勵磁回路的影響。

在交流勵磁發(fā)電機電樞電流換向時,其電樞繞組有換向電抗X,造成輸出直流電壓損失,這在旋轉(zhuǎn)整流器的放大系數(shù)Kz中有所體現(xiàn)。它對系統(tǒng)動態(tài)性能的影響,可以將換向電抗X等效成主發(fā)電機勵磁回路中的串聯(lián)直流電阻u,再考慮到勵磁繞組本身的電阻馬和電感與。





產(chǎn)品特性和優(yōu)勢用于1節(jié)至4節(jié)串聯(lián)電池組的升降壓充電器4V至22V輸入電壓(VIN)范圍可耐受電壓高達26V使用外部MOSFET .

可提供高達28V的可耐受電壓在降壓和升壓操作之間實現(xiàn)無縫、平穩(wěn)轉(zhuǎn)換可配置最大輸入電流限值(IIN_LIMIT)和最小輸入電壓限值 (VIN_LIMIT) 

可配置充電電流高達6A每節(jié)電池高達4.67V的可配置電池電壓范圍,精度為0.5%輸出兼容 USB PD 3.0源模式可配置3V至21V輸出電壓(VOUT),步進值為20mV高達6A的輸出電流(IOUT),步進值為 50mA500kHz至1.2MHz.

不過,AI芯片的真實性能還需要放在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中討論。為此,Graphcore也給出了在不同垂直領(lǐng)域中Bow的性能表現(xiàn)。

第三代IPU相對于上一代M2000,性能提高40%,每瓦性能提升16%,即能耗比實現(xiàn)16%的提升。

在圖像方面,無論是典型的CNN網(wǎng)絡(luò),還是近期比較熱門的Vision Transformer網(wǎng)絡(luò),以及深層次的文本到圖片的網(wǎng)絡(luò),與上一代產(chǎn)品相比,Bow IPU都有30%到40%的性能提升,在EfficientNet-B4這一項中,接近理論上限值。


氣源系統(tǒng)布局圖于控制壓氣機軸和盤的溫度,既可以對其冷卻,也可以為它們加熱。

典型的冷卻和封嚴空氣流,與一般由直流電源提供勵磁的同步發(fā)電機相比,無刷交流發(fā)電機的工作情況稍有不同,其勵磁電流是由交流勵磁發(fā)電機經(jīng)整流后提供的,在套用一般同步發(fā)電機的傳遞函數(shù)時,要考慮這一特點對其勵磁回路的影響。

在交流勵磁發(fā)電機電樞電流換向時,其電樞繞組有換向電抗X,造成輸出直流電壓損失,這在旋轉(zhuǎn)整流器的放大系數(shù)Kz中有所體現(xiàn)。它對系統(tǒng)動態(tài)性能的影響,可以將換向電抗X等效成主發(fā)電機勵磁回路中的串聯(lián)直流電阻u,再考慮到勵磁繞組本身的電阻馬和電感與。





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