通用MNO SIM卡在商用網(wǎng)(漫游)中完成了NB-IoT中的測量
發(fā)布時間:2022/3/30 13:32:22 訪問次數(shù):675
并聯(lián)型石英晶體振蕩器電路,提高后級發(fā)射極電位的直接耦合放大電路a)發(fā)射極串接電阻b)發(fā)射極串接硅穩(wěn)壓管。
直接耦合放大電路,把前一級的輸出端直接接到后一級的輸人端,這種形式的放大電路稱為直接耦合放大電路.該電路可以放大緩慢變化的信號或某個直流量的變化(統(tǒng)稱直流信號)。應(yīng)用時,必須要對電路存在的“前后級靜態(tài)工作點影響”和“零點漂移”問題加以解決。
前后級靜態(tài)工作點影響的解決方法,直接耦合放大電路提高后一級的發(fā)射極電位即在后一級三極管發(fā)射極中接人電阻或硅穩(wěn)壓管(或硅二極管)。
采用NPN-PNP管直接耦合,利用兩只三極管的不同極性,使得兩級都能獲得合適的靜態(tài)工作點。第二級最好選用反向電流小、溫度穩(wěn)定性好的硅材料PNP管。
零點漂移的影響及解決方法 當(dāng)放大器工作條件(溫度、電源電壓等)發(fā)生改變而引起晶體管靜態(tài)工作點緩慢變化時,即使放大器輸人信號為零,這個緩慢變化的電串聯(lián)型石英晶體振蕩器電路。
為了使低功耗模式可視化,使用了來自Thales的兩套不同Cinterion模塊以及來自Qoitech的Otii功率分析儀。對于PSM定時器,使用了Thales的DevKit ENS22-E,它已焊接到NB-IoT專用模塊上.使用全球通用MNO SIM卡在商用網(wǎng)(漫游)中完成了NB-IoT中的測量。
OFI1200A已通過MIL-STD-810H規(guī)定的沖擊和振動測試。在這方面,產(chǎn)品已經(jīng)通過測試,水平遠(yuǎn)高于正常運行條件,電源的設(shè)計旨在可以承受高達(dá)20G沖擊。
OFI1200A開放式框架尺寸為142 x 39 x 260mm(5.59 x 1.54 x 10.36 英寸),最大重量為1.2kg。可選項金屬蓋僅增加1mm的高度和200g的重量(選項-N)。
并聯(lián)型石英晶體振蕩器電路,提高后級發(fā)射極電位的直接耦合放大電路a)發(fā)射極串接電阻b)發(fā)射極串接硅穩(wěn)壓管。
直接耦合放大電路,把前一級的輸出端直接接到后一級的輸人端,這種形式的放大電路稱為直接耦合放大電路.該電路可以放大緩慢變化的信號或某個直流量的變化(統(tǒng)稱直流信號)。應(yīng)用時,必須要對電路存在的“前后級靜態(tài)工作點影響”和“零點漂移”問題加以解決。
前后級靜態(tài)工作點影響的解決方法,直接耦合放大電路提高后一級的發(fā)射極電位即在后一級三極管發(fā)射極中接人電阻或硅穩(wěn)壓管(或硅二極管)。
采用NPN-PNP管直接耦合,利用兩只三極管的不同極性,使得兩級都能獲得合適的靜態(tài)工作點。第二級最好選用反向電流小、溫度穩(wěn)定性好的硅材料PNP管。
零點漂移的影響及解決方法 當(dāng)放大器工作條件(溫度、電源電壓等)發(fā)生改變而引起晶體管靜態(tài)工作點緩慢變化時,即使放大器輸人信號為零,這個緩慢變化的電串聯(lián)型石英晶體振蕩器電路。
為了使低功耗模式可視化,使用了來自Thales的兩套不同Cinterion模塊以及來自Qoitech的Otii功率分析儀。對于PSM定時器,使用了Thales的DevKit ENS22-E,它已焊接到NB-IoT專用模塊上.使用全球通用MNO SIM卡在商用網(wǎng)(漫游)中完成了NB-IoT中的測量。
OFI1200A已通過MIL-STD-810H規(guī)定的沖擊和振動測試。在這方面,產(chǎn)品已經(jīng)通過測試,水平遠(yuǎn)高于正常運行條件,電源的設(shè)計旨在可以承受高達(dá)20G沖擊。
OFI1200A開放式框架尺寸為142 x 39 x 260mm(5.59 x 1.54 x 10.36 英寸),最大重量為1.2kg?蛇x項金屬蓋僅增加1mm的高度和200g的重量(選項-N)。
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