六個(gè)C55x核心雙差分轉(zhuǎn)發(fā)器/轉(zhuǎn)換器以及1:2的分裂器
發(fā)布時(shí)間:2022/9/26 22:47:39 訪問次數(shù):168
帶次級(jí)調(diào)諧輸入的射極耦合邏輯(ECL)可編程延遲芯片MC100EP196，校正網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、圖形產(chǎn)生、以及測(cè)試和儀表設(shè)備中的脈沖和數(shù)據(jù)格式化之時(shí)鐘歪曲率。
由于半導(dǎo)體元件朝著更高頻率發(fā)展，標(biāo)準(zhǔn)延遲器件的現(xiàn)行精度等級(jí)不足以控制先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的定時(shí)信號(hào)。設(shè)計(jì)人員目前正在努力解決時(shí)序信號(hào)之間的歪曲問題，這種歪曲是因?yàn)樾盘?hào)到達(dá)周期減少，而由電路板的拓?fù)洳顒e產(chǎn)生的。
在高過1.2千兆赫(GHz)的工作頻率下，與3.3伏，5伏ECL可編程延遲芯片MC100EP195相比，MC100EP196具有相同的高性能，可在10皮秒(ps)單位內(nèi)進(jìn)行2.2至12.2納秒(ns)延遲定時(shí)。
開始，AD8328是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)出腳的20引腳QSOP封裝，由于新的20引腳4x4mm LFCSP封裝有較好的熱特性，現(xiàn)在采用這種無引腳的封裝。
PSRAM解決方案比等效的六晶體管SRAM成本更低。這和模塊提高空間效率一起，使閃存和假SRAM封在一起的MCP，非常適合用在需要高性能和低功耗的移動(dòng)領(lǐng)域。
PSRAM技術(shù)采用有簡(jiǎn)便SRAM I/O接口的單元DRAM核，因而有更高的密度，每位功耗更低，芯片面積更小。從功能上來講，PSRAM用作緩沖器和工作存儲(chǔ)器，而NOD閃存則存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，操作代碼和各種的通信協(xié)議。NOR閃存有由用戶可配置的區(qū)塊，以便有更好的性能和靈活性。
功耗最低的VOP處理器，也是第一款在 TI TMS320VC55x 架構(gòu)上精心設(shè)計(jì)的多內(nèi)核設(shè)備，該架構(gòu)在僅一枚硬幣大小的封裝內(nèi)集成了六個(gè)C55x核心、片上內(nèi)存及優(yōu)化的外設(shè)，從而使設(shè)備設(shè)計(jì)者能夠顯著提高其系統(tǒng)的信息密度。
AC491不僅可以作為AudioCodes模塊與主板的構(gòu)建框架，而且還能作為高密度網(wǎng)關(guān)的VOP處理器。
帶次級(jí)調(diào)諧輸入的射極耦合邏輯(ECL)可編程延遲芯片MC100EP196，校正網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、圖形產(chǎn)生、以及測(cè)試和儀表設(shè)備中的脈沖和數(shù)據(jù)格式化之時(shí)鐘歪曲率。
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在高過1.2千兆赫(GHz)的工作頻率下，與3.3伏，5伏ECL可編程延遲芯片MC100EP195相比，MC100EP196具有相同的高性能，可在10皮秒(ps)單位內(nèi)進(jìn)行2.2至12.2納秒(ns)延遲定時(shí)。
開始，AD8328是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)出腳的20引腳QSOP封裝，由于新的20引腳4x4mm LFCSP封裝有較好的熱特性，現(xiàn)在采用這種無引腳的封裝。
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功耗最低的VOP處理器，也是第一款在 TI TMS320VC55x 架構(gòu)上精心設(shè)計(jì)的多內(nèi)核設(shè)備，該架構(gòu)在僅一枚硬幣大小的封裝內(nèi)集成了六個(gè)C55x核心、片上內(nèi)存及優(yōu)化的外設(shè)，從而使設(shè)備設(shè)計(jì)者能夠顯著提高其系統(tǒng)的信息密度。
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