從柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起，這樣，相當(dāng)于D與S之間有一個(gè)PN結(jié)。

為防應(yīng)力腐蝕進(jìn)行密封,對(duì)于以承受拉伸為主來(lái)傳遞載荷的抗拉螺栓來(lái)說(shuō),螺栓與結(jié)構(gòu)的連接采用間隙配合的形式。

連接鋁合金結(jié)構(gòu)件的抗拉鋼螺栓,一般強(qiáng)度都比較高(達(dá)到或超過(guò)1,372 MPa(1kg/n-2)),傳載時(shí)又要承受較大的拉應(yīng)力,如果間隙中有腐蝕介質(zhì),會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力腐蝕。

典型平面N溝道增強(qiáng)型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底，在其面上擴(kuò)散了兩個(gè)N型區(qū)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2絕緣層，最后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極）。

第一個(gè)改進(jìn)措施：建議將輸入電容 C3、C4旋轉(zhuǎn)180度放置，讓C3、C4連接的輸入地從PCB的背面經(jīng)導(dǎo)通孔連接，它們正面的地從字符D2所在的位置與芯片底部的地、二極管D2所連接的地和輸出電容C6-C9的地連接成為一個(gè)整體.

對(duì)于以承受剪切為主來(lái)傳遞載荷的傳剪螺栓來(lái)說(shuō),螺桿和螺栓孔之間要采用緊配合保證螺桿和孔壁形成足夠的擠壓面積。

在現(xiàn)代民用飛機(jī)結(jié)構(gòu)中,連接鋁合金結(jié)構(gòu)件不可拆卸傳剪螺栓一高鎖螺栓(Hi-Locks)和鎖螺栓(Lock bolts)都采用干涉配合,只要干涉量符合要求(1/1,000 in~4.5/1,000 in),對(duì)提高疲勞壽命能起到很好作用。