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背照式像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)帶來(lái)量子效率(QE)和更高的滿阱電子(FWC)

發(fā)布時(shí)間:2024/3/13 22:52:20 訪問(wèn)次數(shù):127

一個(gè)校正周期后選擇另一個(gè)電流源校正,原被校正電流源切換到工作狀態(tài),每次校正過(guò)程校正一個(gè)電流源,在所有電流源校正一次后,從第一個(gè)電流源開(kāi)始進(jìn)行第二次校正。

第一開(kāi)關(guān)選擇電路104和第二開(kāi)關(guān)選擇電路107的選擇輸入端輸入的選擇信號(hào)SEL是由移位寄存器106產(chǎn)生,移位寄存器106每移位一次便依次選擇出一個(gè)不同的電流源單元進(jìn)行校正,選擇出來(lái)的電流源單元通過(guò)校正端接到電流比較器112的第一輸入端和電流比較器112第二輸入端連接的參考電流源比較后通過(guò)逐次逼近的方法校正。

當(dāng)α1和α2隨發(fā)射極電流增加而使得(α1+α2)≈1時(shí),式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia。

這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。晶閘管導(dǎo)通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,門極已失去作用。

在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷地減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于α1和α2迅速下降,晶閘管恢復(fù)到阻斷狀態(tài)。

校正算法為后臺(tái)實(shí)時(shí)校正,其校正原理為:利用第一開(kāi)關(guān)選擇電路104控制高位電流源陣列中的高位數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)陣列,利用第二開(kāi)關(guān)選擇電路107控制高位電流源陣列中的選擇開(kāi)關(guān)陣列,選擇出一個(gè)電流源單元進(jìn)行校正,其余電流源單元繼續(xù)工作.

SC038HGS采用自主創(chuàng)新的SmartGS-2 Plus技術(shù),基于全局快門(GS)技術(shù)和背照式像素結(jié)構(gòu)(BSI)設(shè)計(jì),帶來(lái)更佳的量子效率(QE)和更高的滿阱電子(FWC),且采用High Density MIM(HD MIM)工藝,大幅降低了隨機(jī)噪聲,改善圖像質(zhì)量。

安徽紐本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com

一個(gè)校正周期后選擇另一個(gè)電流源校正,原被校正電流源切換到工作狀態(tài),每次校正過(guò)程校正一個(gè)電流源,在所有電流源校正一次后,從第一個(gè)電流源開(kāi)始進(jìn)行第二次校正。

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當(dāng)α1和α2隨發(fā)射極電流增加而使得(α1+α2)≈1時(shí),式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia。

這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。晶閘管導(dǎo)通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,門極已失去作用。

在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷地減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于α1和α2迅速下降,晶閘管恢復(fù)到阻斷狀態(tài)。

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