繪制inverter 掩膜版圖的一些準(zhǔn)備工作
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):701
首先,在library manager 中打開inv 這個(gè)cell 的layout view。即打開了virtuoso editing 窗口,如圖2-2-1 所示。
版圖視窗打開后,掩模版圖窗口顯現(xiàn)。視窗由三部分組成:icon menu , menu banner , statusbanner.
icon menu (圖標(biāo)菜單)缺省時(shí)位于版圖圖框的左邊,列出了一些最常用的命令的圖標(biāo),要查看圖標(biāo)所代表的指令,只需要將鼠標(biāo)滑動(dòng)到想要查看的圖標(biāo)上,圖標(biāo)下方即會(huì)顯示出相應(yīng)的指令。
menu banner(菜單欄),包含了編輯版圖所需要的各項(xiàng)指令,并按相應(yīng)的類別分組。幾個(gè)常用的指令及相應(yīng)的快捷鍵列舉如下:
zoom in -------放大 (z) zoom out by 2------- 縮小2 倍(z)
save ------- 保存編輯(f2) delete ------- 刪除編輯(del)
undo ------- 取消編輯(u) redo -------恢復(fù)編輯 (u)
move ------- 移動(dòng)(m) stretch ------- 伸縮(s)
rectangle -------編輯矩形圖形(r) polygon ------- 編輯多邊形圖形(p)
path ------- 編輯布線路徑(p) copy -------復(fù)制編輯 (c)
status banner(狀態(tài)顯示欄),位于menu banner 的上方,顯示的是坐標(biāo)、當(dāng)前編輯指令等狀態(tài)信息。
在版圖視窗外的左側(cè)還有一個(gè)層選擇窗口(layer and selection window lsw)。
lsw 視圖的功能:
1) 可選擇所編輯圖形所在的層;
2) 可選擇哪些層可供編輯;
3) 可選擇哪些層可以看到。
由于我們所需的部分版圖層次在初始lsw 中并不存在,因此下一步要做的是:建立我們
自己的工藝庫所需的版圖層次及其顯示屬性。為了簡(jiǎn)單起見,以下僅列出繪制我們這個(gè)版圖
所需的最少版圖層次。
層次名稱 說明
nwell n阱
active 有源區(qū)
pselect p型注入掩膜
nselect n型注入掩膜
contact 引線孔,連接金屬與多晶硅/有源區(qū)
metal1 第一層金屬,用于水平布線,如電源和地
via 通孔,連接metal1 和metal2
metal2 第二層金屬,用于垂直布線,如信號(hào)源的i/o 口
text 標(biāo)簽
poly 多晶硅,做mos 的柵
下圖是修改后的lsw。
圖2-2-2 lsw
如何來修改lsw 中的層次呢?以下就是步驟:
1. 切換至ciw 窗口,在technology file 的下拉菜單中選擇最后一項(xiàng)edit layers 出現(xiàn)如圖窗
口
圖2-2-3 edit layers
2. 在technology library 中選擇庫mylib,先使用delete 功能去除不需要的層次。然后點(diǎn)擊
add 添加必需的層次,add 打開如下圖的窗口:
圖2-2-4
其中,layer name 中填入所需添加的層的名稱。abbv 是層次名稱縮寫。number 是系統(tǒng)給層
次的內(nèi)部編號(hào),系統(tǒng)保留128-256 的數(shù)字作為其默認(rèn)層次的編號(hào)而將1-127 留給開發(fā)者創(chuàng)
造新層次。purpose 是所添加層次的功用,如果是繪圖層次,一般選擇drawing。priority 是
層次在lsw 中的排序位置。其余的選項(xiàng)一般保持默認(rèn)值。在右邊是圖層的顯示屬性?梢
直接套用其中某些層次的顯示屬性。也可以點(diǎn)擊edit resources 自己編輯顯示屬性。如圖2-2-5
所示(這個(gè)窗口還可以在lsw 中調(diào)出) 編輯方法很簡(jiǎn)單,讀者可以自己推敲,就不再贅
述。上述工作完畢后就得到我們所需的層次。接著我們就可以開始繪制版圖了。
首先,在library manager 中打開inv 這個(gè)cell 的layout view。即打開了virtuoso editing 窗口,如圖2-2-1 所示。
版圖視窗打開后,掩模版圖窗口顯現(xiàn)。視窗由三部分組成:icon menu , menu banner , statusbanner.
icon menu (圖標(biāo)菜單)缺省時(shí)位于版圖圖框的左邊,列出了一些最常用的命令的圖標(biāo),要查看圖標(biāo)所代表的指令,只需要將鼠標(biāo)滑動(dòng)到想要查看的圖標(biāo)上,圖標(biāo)下方即會(huì)顯示出相應(yīng)的指令。
menu banner(菜單欄),包含了編輯版圖所需要的各項(xiàng)指令,并按相應(yīng)的類別分組。幾個(gè)常用的指令及相應(yīng)的快捷鍵列舉如下:
zoom in -------放大 (z) zoom out by 2------- 縮小2 倍(z)
save ------- 保存編輯(f2) delete ------- 刪除編輯(del)
undo ------- 取消編輯(u) redo -------恢復(fù)編輯 (u)
move ------- 移動(dòng)(m) stretch ------- 伸縮(s)
rectangle -------編輯矩形圖形(r) polygon ------- 編輯多邊形圖形(p)
path ------- 編輯布線路徑(p) copy -------復(fù)制編輯 (c)
status banner(狀態(tài)顯示欄),位于menu banner 的上方,顯示的是坐標(biāo)、當(dāng)前編輯指令等狀態(tài)信息。
在版圖視窗外的左側(cè)還有一個(gè)層選擇窗口(layer and selection window lsw)。
lsw 視圖的功能:
1) 可選擇所編輯圖形所在的層;
2) 可選擇哪些層可供編輯;
3) 可選擇哪些層可以看到。
由于我們所需的部分版圖層次在初始lsw 中并不存在,因此下一步要做的是:建立我們
自己的工藝庫所需的版圖層次及其顯示屬性。為了簡(jiǎn)單起見,以下僅列出繪制我們這個(gè)版圖
所需的最少版圖層次。
層次名稱 說明
nwell n阱
active 有源區(qū)
pselect p型注入掩膜
nselect n型注入掩膜
contact 引線孔,連接金屬與多晶硅/有源區(qū)
metal1 第一層金屬,用于水平布線,如電源和地
via 通孔,連接metal1 和metal2
metal2 第二層金屬,用于垂直布線,如信號(hào)源的i/o 口
text 標(biāo)簽
poly 多晶硅,做mos 的柵
下圖是修改后的lsw。
圖2-2-2 lsw
如何來修改lsw 中的層次呢?以下就是步驟:
1. 切換至ciw 窗口,在technology file 的下拉菜單中選擇最后一項(xiàng)edit layers 出現(xiàn)如圖窗
口
圖2-2-3 edit layers
2. 在technology library 中選擇庫mylib,先使用delete 功能去除不需要的層次。然后點(diǎn)擊
add 添加必需的層次,add 打開如下圖的窗口:
圖2-2-4
其中,layer name 中填入所需添加的層的名稱。abbv 是層次名稱縮寫。number 是系統(tǒng)給層
次的內(nèi)部編號(hào),系統(tǒng)保留128-256 的數(shù)字作為其默認(rèn)層次的編號(hào)而將1-127 留給開發(fā)者創(chuàng)
造新層次。purpose 是所添加層次的功用,如果是繪圖層次,一般選擇drawing。priority 是
層次在lsw 中的排序位置。其余的選項(xiàng)一般保持默認(rèn)值。在右邊是圖層的顯示屬性。可以
直接套用其中某些層次的顯示屬性。也可以點(diǎn)擊edit resources 自己編輯顯示屬性。如圖2-2-5
所示(這個(gè)窗口還可以在lsw 中調(diào)出) 編輯方法很簡(jiǎn)單,讀者可以自己推敲,就不再贅
述。上述工作完畢后就得到我們所需的層次。接著我們就可以開始繪制版圖了。
上一篇:傳統(tǒng)AP&R的思路
上一篇:Antenna Effect?
熱門點(diǎn)擊
- 素晶胞與復(fù)晶胞(體心晶胞、面心晶胞和底心晶胞
- 納米技術(shù)材料
- 關(guān)于 .cdsenv 的小技巧
- `celldefine 和 `endcell
- 測(cè)試硬件簡(jiǎn)介---探針卡(prober ca
- 畫standard cell的注意點(diǎn)
- 什么是載流子遷移率及遷移率影響芯片的那些性能
- 晶胞中原子的坐標(biāo)與計(jì)數(shù)
- 新型低介電常數(shù)材料研究進(jìn)展
- supply0和supply1線網(wǎng)
推薦技術(shù)資料
- 羅盤誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- RA Arm Cortex-M
- 110V, 75A RMS集成
- 微型C語言可編程處理器技術(shù)參數(shù)
- iNEMO系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP
- 首款 EVC 技術(shù)ST31N
- 嵌入式Flash技術(shù)制造ST54L芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究