傳統(tǒng)的表面微機(jī)械系統(tǒng)，首先在襯底上面生長或淀積一層犧牲層（如磷硅玻璃），然后再淀積一層多晶硅材料，最后通過化學(xué)方法腐蝕掉中間的犧牲層，在多晶硅和襯底之間形成了一個(gè)空隙或空腔，如圖1.16所示。但是，表面犧牲層工藝有很多缺點(diǎn)：（1）實(shí)際的多晶硅厚度和空隙間距受到限制，在2~3µm之間。（2）多晶硅的電學(xué)特性很差，壓敏電阻系數(shù)低，p-n結(jié)特性差。（3）機(jī)械特性重復(fù)性差，很難重復(fù)，這也是最重要的。為了消除多晶硅材料的這些缺點(diǎn)，可以用單晶硅鍵合工藝來實(shí)現(xiàn)表面微機(jī)械系統(tǒng)，得到一個(gè)單晶硅層。

圖1.16 犧牲層表面微機(jī)械

利用硅直接鍵合技術(shù)制備表面微機(jī)械系統(tǒng)的典型工藝流程如圖1.17

傳統(tǒng)的表面微機(jī)械系統(tǒng)，首先在襯底上面生長或淀積一層犧牲層（如磷硅玻璃），然后再淀積一層多晶硅材料，最后通過化學(xué)方法腐蝕掉中間的犧牲層，在多晶硅和襯底之間形成了一個(gè)空隙或空腔，如圖1.16所示。但是，表面犧牲層工藝有很多缺點(diǎn)：（1）實(shí)際的多晶硅厚度和空隙間距受到限制，在2~3µm之間。（2）多晶硅的電學(xué)特性很差，壓敏電阻系數(shù)低，p-n結(jié)特性差。（3）機(jī)械特性重復(fù)性差，很難重復(fù)，這也是最重要的。為了消除多晶硅材料的這些缺點(diǎn)，可以用單晶硅鍵合工藝來實(shí)現(xiàn)表面微機(jī)械系統(tǒng)，得到一個(gè)單晶硅層。

圖1.16 犧牲層表面微機(jī)械

利用硅直接鍵合技術(shù)制備表面微機(jī)械系統(tǒng)的典型工藝流程如圖1.17